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第一章 半导体器件;教学内容;§1.1 半导体的特性; 现代电子学中，用的最多的半导体是硅和锗，它们最外层电子（价电子）都是四个。;1.1.1 本征半导体;+4;+4;本征半导体的导电机理;+4;+4;本征半导体的导电机理;本征半导体的导电机理; 在本征半导体中掺入某些微量的杂质，就会使半导体的导电性能发生显著变化。其原因是掺杂半导体的某种载流子浓度大大增加。; 在硅或锗晶体中掺入少量的五价元素磷（或锑），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，磷原子的最外层有五个价电子，其中四个与相邻的半导体原子形成共价键，必定多出一个电子，这个电子几乎不受束缚，很容易被激发而成为自由电子，这样磷原子就成了不能移动的带正电的离子。每个磷原子给出一个电子，称为施主原子。;+4;N型半导体中的载流子：; 在硅或锗晶体中掺入少量的三价元素，如硼（或铟），晶体点阵中的某些半导体原子被杂质取代，硼原子的最外层有三个价电子，与相邻的半导体原子形成共价键时，产生一个空穴。这个空穴可能吸引束缚电子来填补，使得硼原子成为不能移动的带负电的离子。由于硼原子接受电子，所以称为受主原子。;+4;P型半导体中的载流子：; 在杂质半导体中，多数载流子浓度主要取决于掺入的杂质浓度；而少数载流子浓度主要取决于温度。无论是Ｎ型或Ｐ型半导体，从总体上看，仍然保持着电中性。;§1.2 半导体二极管;P型半导体;空间电 荷区;　多子的扩散运动使空间电荷区变宽 　少子的漂移运动使空间电荷区变窄 　最终达到动态平衡，Ｉ扩＝Ｉ漂， PN 结总的电流等于零，空间电荷区的宽度达到稳定，即形成ＰＮ结。 　空间电荷区又称耗尽层或阻挡层。; PN 结加上正向电压、正向偏置（正偏）的意思都是：Ｐ区加正，Ｎ区加负电压。;E;内电场被被加强，多子的扩散受抑制，少子漂移加 强，但少子数量有限，只能形成较小的反向电流。;（1）PN结加正向电压时，呈现低电阻， 具有较大的正向扩散电流；导通;半导体二极管结构;半导体二极管图片;死区电压 硅管0.5V, 锗管0.1V。; 二极管具有单向导电性。加正向电压时导通，呈现很小的正向电阻，如同开关闭合；??反向电压时截止，呈现很大的反向电阻，如同开关断开。;1. 最大整流电流 IF;3. 反向电流 IR;半导体二极管模型;半导体二极管模型;应用举例1：二极管半波整流(理想二极管);UD=ui－5 UD ≤ 0.7V,即ui≤5.7V,VD截止，uo=ui。 UD0.7V,即ui5.7V,VD导通,uo=5.7V;;1.2.4 稳压管;IR;稳压管的参数;稳压管的参数;§1.3 双极结型三极管（BJT）;基区：较薄，掺杂浓度低;三个电极;VBB;IBn;IBn;三极管的电流分配关系;三极管的电流分配关系;三极管的电流分配关系;三极管的电流分配关系;三极管的电流分配关系;三极管具有电流放大作用的条件;1.3.3 三极管的特性曲线;1.3.3 三极管的特性曲线;三极管共射特性曲线测试电路;输入特性;输入特性;输出特性;输出特性;输出特性;输出特性三个区域的特点;判断三极管的工作状态方法;共基直流电流放大系数：;在以后的计算中，一般作近似处理：? =;1.3.4 三极管的主要参数;1.3.4 三极管的主要参数;1.3.4 三极管的主要参数;1.3.4 三极管的主要参数;1.3.5　PNP 型三极管;