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半导体器件物理
Physics of Semiconductor Devices;;课程要求;热平衡PN结;1、扩散法;突变结近似;离子注入法：
在掩模板窗口附近的横向分布为余误差分布，
纵向近似为高斯分布。;当这两部分半导体靠得很近，甚至相互接触时，由于交界面存在着电子和空穴的浓度差，N区中的电子要向P区扩散， P区中的空穴要向N 区扩散。这样，对于P区，空穴离开后，留下了不可动的带负电的电离受主，这些电离受主在PN结的P区侧形成了一个负电荷区；同样的，在N区由出现了由电离施主构成的正电荷区，这个交界区域就是PN结。通常把PN结附近的这些电离施主和电离受主所带的电荷称为空间电荷，它们所在的区域称为空间电荷区。;由于电场的存在使得电子和空穴产生漂移运动，与它们的扩散运动正好相反，当电场强到使载流子的漂移运动和扩散运动相抵消时（大小相等、方向相反），此时的PN结达到了平衡态，这就是平衡PN结。;平衡PN结的能带图;能带的相对位移是PN结空间电荷区存在自建电场的结果，由于自建电场的方向是由N区指向P区的，表明P区的电势比N区的电势低。而能带图是按电子能量的高低画的，所以P区电子的势能比N区的势能高，也就是电子的电势能-qψ(x)由N区向P区不断升高。;接触电势差;自建势场由N区指向P区，表明P区的电势（电位）比N区的电势低;因浓度差;二 空间电荷区的电场与宽度;一维情况下，电荷分布与静电势之间的关系可用柏松方程表示：;中性区的电势求解;忽略边界层的突变结的空间电荷区分布图;对于N侧、P侧的泊松方程可简化为：;若令NaNd，则xn xp ，W≈xn。这在物理上意味着在重掺杂一边的空间电荷区的厚度是可以忽略的。结果是，在轻掺杂的一边可以单独解泊松方程求得结的特性。 ;式中：;由于正负电荷分布在一定体积中，电力线是从正电荷出发，终止于负电荷。因此电场强度在空间电荷区的各处是不相等的。界面处最大，而在边界处电场强度为零。;空间电荷区的内建电势差为：;根据上式，可得耗尽层的宽度为：;三 平衡PN结的载流子分布;对于线性缓变结，耗尽层内空间电荷分布可表示为：;（1）电场;线性缓变结空间电荷区的电场、宽度和电???:;（2）电势
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