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2016年中考试试题汇总 电池 1.1单选 1、下列哪项不是太阳能电池的主要参数：（D） A短路电流 B开路电压 C填充因子 D电阻率 2、Schmid 二洗不需要用到的化学品是（C） A. HF B.HNO3 C.HCl D.KOH3、目前车间生产的硅片电阻率大致范围是：（B） A.0.1-1 B.1-3 C.3-5 D.5-8 4、对电池电性能没有影响的是（C） A.硅片厚度 B.车间洁净度 C测试仪的准确性 D水导电率 5、能形成P型半导体的掺杂元素是（A） A.硼 B.磷 C.氮 D.砷 6、本征半导体是指（C）的半导体。 A电阻率很高 B电子浓度与空穴浓度相等 C不含杂质与缺陷 D电子浓度与本征载流子浓度相等 7、如某材料电阻率随温度上升而先下降后上升，该材料为（ C ）。 A. 金属 B. 本征半导体 C. 掺杂半导体 D. 高纯化合物半导体 8、约束晶体硅效率提升的主要因素有（ D ）。 A.正面栅线遮光及光的反射 B. 光传导过程中的损失 C. 载流子的内部及表面复合 D. 以上都是 9、SE电池是在哪一步骤印刷磷浆（ A ）。 A. 一洗后 B. 扩散后 C. 二洗后 D. 镀膜后 10、在太阳光中的可见光波段，哪种颜色的光所占百分比最高（ A ）。 A. 红 B. 黄 C. 绿 D. 紫 11、单晶SM125的面积是（ A ）cm2 。 A、154.83 B、148.76 C、243.28 D、238.95 12、电池车间纯水电阻率要求在（ C ）MΩ以上才能生产。 A、16 B、16.5 C、17 D、17.5 13、在我司电池生产线，多晶硅片酸制绒后显微镜下观察其外观形貌是（ C ）。 A、蜂窝状 B、金字塔状 C、虫孔状 D、光滑平面 14、下列关于多晶硅太阳能电池制绒后表面“暗纹”表述错误的是（ C ） A“暗纹”区域少子寿命降低，EL及QE变差。 B“暗纹”一般出现在晶粒范围内。 C“暗纹”由于QE变差会导致电池效率的下降，解决此问题的根本办法是改善制绒技术。 D在形成初期彼此不相连的腐蚀坑洞，随着腐蚀的加深，腐蚀坑洞不断变大，并逐渐连成 一条线，形成“暗纹”。 15、 是衡量电池输出特性的重要指标，其值越大表明太阳能电池的输出特性约好。( A ) A.填充因子 B.短路电流 C.开路电压 D.光谱响应 16、一次清洗制绒后的多晶硅片用 去中和残留的酸液，用盐酸去除金属离子，用 去除硅片表面的氧化层，用去离子水通过漂洗的方式去除可溶污染物，借助工艺气体将硅片表面吹干。（ D ） A、NaOH HNO3 B、HF NaOH C、NaOH HCl D、NaOH HF 17、多晶一次清洗工艺流程是（ A ）。 A、去损伤层并制绒→中和残留酸→去金属离子、去氧化层→吹干 B、去损伤层并制绒→吹干→去金属离子、去氧化层→中和残留酸 C、去损伤层并制绒→去金属离子、去氧化层→中和残留酸→吹干 D、去损伤层并制绒→中和残留酸→形成氧化层→吹干 18、硅太阳能电池片典型厚度在（ A ）之间。 A、180 μm- 260 μm B、300 μm - 450 μm C、60μm - 150 μm D、430 μm- 580 μm 19、 采用什么方法可以增加电池片对太阳光的吸收？分别体现在哪些工艺段？（ D ） A、降低表面反射。——清洗制绒 B、改变光在电池体内的路径。——制减反射膜 C、采用背面反射。——印刷铝背场 D、以上都是 20、单晶硅中，碱腐蚀速度最慢的晶面是_____ 。（ B ） A、(110)