2015第2次课-第二章半导体异质结的组成与生长解答.pptVIP

第二章 半导体异质结的组成与生长;问题？;第一节 材料的一般特性 第二节 异质结界面的晶格失配 第三节金属有机物化学气相外延生长 第四节分子束外延法（MBE） ;(1)晶格结构 立方晶 六方晶 晶格常数:Si:5.43A, Ge:5.658A GaAs:5.56A, GaN: c=5.189?,a=3.192? ;1双原子层堆积 2 偶极层;3 六方晶GaN的极性;4 氮化镓材料的极化;5 晶体结构测量;6半导体合金材料;Eg(GaxIn1-xN)=Eg(GaN) * x + Eg(InN) * (1-x) – b * x * (1-x) Eg(GaxAl1-xN)=Eg(GaN) * x + Eg(AlN) * (1-x) – b * x * (1-x);对直接禁带半导体材料，材料的禁带宽度满足：;AlGaAs,AlGaN,InGaN.等 应用广泛,波长调节 光限制 载流子限制;第二节 异质结界面的晶格失配;悬挂键密度等于交界处键密度之差.;包含在这个面中的键数为2.;第三节金属有机物化学气相外延生长;制造衬底材料 加工制成晶片;晶体生长过程是物质从其它相转变为结晶相的过程;;Deposition of a layer on a substrate which matches the crystalline order of the substrate Homoepitaxy Growth of a layer of the same material as the substrate Si on Si Heteroepitaxy Growth of a layer of a different material than the substrate GaAs on Si;直拉法是生长元素和III-V族化合物半导体体单晶的主要方法。 该法是在盛有熔硅或锗的坩埚内，引入籽晶作为非均匀晶核，然后控制温度场，将籽晶旋转并缓慢向上提拉，晶体便在籽晶下按籽晶的方向长大。; 液相外延生长的基础是溶质在液态溶剂内的溶解度随温度降低而减少。因此一个饱和溶液，在它与单晶衬底接触后被冷却时，如条件适宜，就会有溶质析出，析出的溶质就外延生长在衬底上。这里所述的外延，是指在晶体结构和晶格常数与生长层足够相似的单晶衬底上生长，使相干的晶格结构得以延续;MOCVD 金属有机物化学气相沉积（Metalorganic Chemical Vapor-phase Deposition） 也称为MOVPE（金属有机物气相外延Metalorganic Vapor Phase Epitaxy）。 它是在60年代末由Manasevit提出。已成为介观物理、半导体材料和器件的研究以及生产领域最重要的外延技术之一。 在GaAs、InP和GaN材料系的应用中，由它制备的材料和器件性能达到或超过了其它任何晶体外延技术的水平。与其它外延技术相比，MOCVD具有反应室简单，材料纯度高，生长界面陡，操作容易，应用范围广，可用于大规模生产等优点.;MOCVD设备可分为四个系统： (1)载气和源供应系统， (2)反应室和控制系统， (3)尾气处理系统和 (4)安全保障系统。 MOCVD所用的源有气体源和需要用载气携带的固、液体源； 控制系统又分为压强、流量和温度三个控制分系统，分别控制反应室的压强，载气及气体源的流量和反应室的温度等； 尾气处理系统由裂解炉和喷淋塔组成，用于分解和吸收尾气中的有毒物质，减少污染； 安全系统包括压强、有毒气体和可燃气体报警装置以及应急反应装置，用于保证系统和操作人员的安全。;反应方程式;;第四节 分子束外延法（MBE）;1 特点：;2 装置;3 MBE生长;4 薄膜生长及生长机理;Si RHEED 像;;Self Assembed structures;High-resolution TEM image of AlN/sapphire interface grown by MOCVD.The large Lattice mismatch between sapphire and AlN induces a dislocated interface with the thickness on The order of 1mL,after which the AlN epilayer assumes its ownl attice parameter.