第8章光电式传感器答辩.pptVIP

第八章 光电传感器; ; 8.1 光电效应与光电元件 8.2 光电元件的基本应用电路 8.3 光电式传感器的应用; 1905年德国物理学家爱因斯坦用光量子学说解释了光电发射效应，并为此而获得1921年诺贝尔物理学奖。 ; 一束光是由一束以光速运动的粒子流组成的，这些粒子称为光子。 光子具有能量，每个光子具有的能量由下式确定： ;光 电 效 应: 当用光照射在某一物体上时，可以看做是物体受到一连串能量为hf的光子轰击，组成这种物体的材料吸收了光子能量而发生相应电效应的现象 （如发射光电子、电导率变化、产生电动势等），这种现象称为光电效应。;光电效应;1. 外光电效应 在光线作用下，物体内的电子逸出物体表面向外发射的现象称为外光电效应。向外发射的电子叫光电子。基于外光电效应的光电器件有紫外光电管、光电倍增管、光电摄像管等。 ;光照射???体，可以看成一连串具有一定能量的光子轰击物体，物体中电子吸收的入射光子能量超过逸出功A0时，电子就会逸出物体表面，产生光电子发射， 超过部分的能量表现为逸出电子的动能。根据能量守恒定理 ; 上式为爱因斯坦光电效应方程式, 由式可知： 1)光子能量必须超过逸出功A0，才能产生光电子； 2)入射光的频谱成分不变，产生的光电子与光强成正比； 3)光电子逸出物体表面时具有初始动能 ，因此对于外光电效应器件， 即使不加初始阳极电压，也会有光电流产生，为使光电流为零， 必须加负的截止电压。 ;2.内光电效应;3.光生伏特效应;1） 光电管;光电管的工作原理;2）光电倍增管;2.基于内光电效应的光电元件; 当光敏电阻受到一定波长范围的光照时, 它的阻值（亮电阻）急剧减少, 电路中电流迅速增大。 一般希望暗电阻越大越好, 亮电阻越小越好,此时光敏电阻的灵敏度高。 实际光敏电阻的暗电阻值一般在兆欧级, 亮电阻在几千欧以下。 ;光敏电阻演示 ; 当无光照时，光敏电阻值(暗电阻)很大，电路中电流（暗电流）很小。 当光敏电阻受到光照时，光生电子—空穴对增加，阻值（亮电阻）减小，电流（亮电流）增大。;光敏电阻的内部结构;半导体吸收光子而产生光电效应只限于光照的表面层，所以光敏电阻的电极一般采用梳状，这样可以提高光敏电阻的灵敏度。 ;②光敏电阻的主要参数;光敏电阻 ;2）光敏二极管 １． 结构原理 光敏二极管的结构与一般二极管相似。 它装在透明玻璃外壳中, 其PN结装在管的顶部, 可以直接受到光照射。; 光敏二极管在电路中一般是处于反向工作状态, 在没有光照射时, 反向电阻很大, 反向电流很小。 ;当光照射在PN结上时, 光子打在PN结附近, 使PN结附近产生光生电子和光生空穴对。从而使P区和N区的少数载流子的浓度增加，在外加反向的电压和内电场的作用下作定向运动, 形成光电流。 光的照度越大, 光电流越大。 因此光敏二极管在不受光照射时, 处于截止状态, 受光照射时, 处于导通状态。;光敏二极管的反向偏置接法;光敏二极管的光谱特性 ;光敏二极管外形 ;红外发射、接收对管外形 ;3）光敏三极管 ;光敏三极管外形 ;光敏三极管内部结构 ; 大多数光敏三极管的基极无引出线, 当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时, 集电结就是反向偏压；当光照射在集电结上时, 就会在结附近产生电子-空穴对, 光生电子被拉到集电极，基区留下空穴，基极与发射极间的电压升高，使大量电子由发射极经过基区流向集电极，其中少量电子与基区空穴复合从而形成光生电流, 相当于三极管的基极电流，而大部分流向集电极形成集电极电流即光电流，因此光电流是光生电流的β倍, 所以光敏三极管有放大作用。;3.基于光生伏特效应的光电元件;光电池外形;能提供较大电流的大面积光电池外形;其他光电池及在照度测量中的应用;光电池在动力方面的应用;光电池在动力方面的应用（续）;光电池在动力方面的应用（续）;8.2 光电元件的基本应用电路;8.2.2 光敏二极管的基本应用电路;8.2.3 光敏三极管的基本应用电路;由表8-1可知，发射极输出电路的输出电压变化与光照的变化趋势相同，而集电极输出电压恰好相反。; 当无光照时，V1截止，IΦ =0，则V2处于什么状态？继电器KA吸合还是释放？如果将V1与R b2位置上下对调，其结果如何？ ;光电元件的应用;光电元件的应用;光电元件的应用;8.3.新型光电传感器;（a） 结构 （b） 等效电路 图8-21 色彩传感器的结构与