硅基半导体光电子材料的第一性原理设计详解.pdfVIP

第 44 卷　第 6 期 厦门大学学报(自然科学版) Vol. 44　No. 6 　2005 年 11月 Journal of Xiamen Universi ty (Natural Science) Nov. 2005　 综　述 硅基半导体光电子材料的第一性原理设计 　　 收稿日期:2005-09-12 基金项目:国家自然科学基金委“九五”重大项目,重点 项目和面上项目,资助 作者简介:黄美纯(1937 -),男 ,教授 ,博导. E-mail:mchuang@xmu. edu. cn 黄 美 纯 (厦门大学物理学系 ,福建 厦门 361005) 摘要:具有特定功能的半导体材料的计算设计 ,是计算材料科学的一个重要研究领域. 由于半导体的诸多性质取决于价 带顶和导带底的电子态及其中的载流子分布 ,因此带隙的大小和能带极值的对称性便成为半导体材料设计最受关注的问 题.为了进一步解决硅基光电子集成(OEIC)技术发展的瓶颈 ,设计具有直接带隙特性的硅基新材料并使其成为有效的光 发射体 ,是一项富有挑战性的工作. 本文在分析大量半导体能带结构的基础上 ,给出类 sp 系列半导体由间接带隙过渡到 直接带隙的主要物理机制 ,并以对称性概念 、芯态效应和电负性差效应为基础 , 提出一种新的直接带隙半导体材料设