第五章非平衡载流子xin探析.ppt

(3)稳态下的表面复合 图5-20 两个边界条件: ① ② 由边界条件① 可得: 由边界条件② 可得: 问题: 　已知某半导体为间接禁带半导体,其价带顶和导带底对应的波矢k分别为０和k1,同时在禁带中本征费米能级附近存在复合中心能级Et. 简述该半导体中可能发生的复合机制，并图示指出各机制的物理过程． 如果该半导体可发生直接复合和间接复合，那么在利用能谱分析手段直接观测光子和声子能谱时，可观测到的光子和声子的能谱分别有几条？ 一个例子: Au在硅中是深能级杂质,形成双重能级，是有效复合中心作用: 掺金可以大大缩短少子的寿命. ? n型硅: 净复合率取决于空穴俘获率--受主能级EtA起作用,[电离受主(Au-)俘获空穴,完成复合]. ? p型硅: 净复合率取决于电子俘获率—施主能级EtD起作用,[电离施主(Au+)俘获电子,完成复合]. 表面态--表面引起的附加电子状态 (表面周期势场的中断, 表面杂质,表面缺陷) 表面态可以起复合中心作用. 4 表面复合 （1）表面复合率us us：单位时间单位表面积复合掉的电子-空穴对 单位：对/s·cm2 ：为样品表面处单位体积的载流子数 个/s cm2 个/cm3 cm/s S比例系数，表征表面复合的强弱，具有速度的量纲，称为表面复合速度。 表面复合速度和稳态下非平衡子的分布: S=0 S0 S=∞ （2）影响表面复合的因素及寿命表示式 ①表面粗糙度 ②表面积与总体积的比例 ③与表面的清洁度、化学气氛有关 在考虑表面复合后 总的复合几率为： §4 陷阱效应 广义陷阱效应:杂质能级积累非平衡载流子的作用就称为陷阱效应。 狭义陷阱效应：俘获非子能力大，杂质能级上积累的非平衡载流子数目可以与导带和价带上非平衡载流子数目相比拟。 成为陷阱的条件： rprn(空穴陷阱) rnrp（电子陷阱） 少子陷阱 EF与Et接近，陷阱效应明显 复合中心 rp≈rn §5 载流子的扩散和漂移 光照 x 1、非平衡载流子的扩散 A B 0 x x+Δx x △p(x) 0 x x+Δx A B 扩散现象 墨水滴入水中 香水味飘散 无规热运动 浓度梯度= 扩散流密度（单位时间通过垂直于运动方向单位面积的粒子数） x △p(x) 0 x x+Δx A B 扩散系数 梯度方向 扩散流方向 扩散定律 稳态扩散方程 三种情况下，讨论通解的具体形式 （1）样品足够厚（非平衡载流子还未到达另一面就全部复合） W＞＞Lp x hν （2）样品厚度为W，并且在另一边将△p 完全引出 w 注入 抽出 x △p 0 w 常数：表明无复合 （3） 金属探针注入非平衡载流子 几何形状引起的扩散 2、载流子的漂移 x n型半导体 E Jn=(Jn)漂+(Jn)扩=0 导带底的能量 应为Ec-qV(x) 对于空穴： 室温时：KT=0.026eV Si中：?n=1350cm2/vs 同时存在扩散运动和漂移运动时的电流密度方程式 §6 连续性方程 连续性方程—漂移运动和扩散运动同时存在时,少子所遵守的运动方程. 讨论少子浓度的变化: ? 扩散引起少子浓度变化; ?当存在电场,漂移引起少子浓度变化; ?非平衡子复合引起少子浓度变化； ? 外界因素产生非平衡子. x hν E n型半导体 1、△p(x,t)=? 扩散引起少子浓度变化（空穴的积累） 漂移引起少子浓度变化（空穴的积累） 复合引起少子浓度变化 外界因素产生非平衡子 具体分析通用式 （1）光照恒定、gp=0 (2) 材料是均匀的 （3）电场是均匀的 对很厚的样品： ?A=0， ①电场很强时 ②电场很弱时 单纯扩散运动时的方程 2、连续性方程的应用 （1）光激发载流子的衰减（t=0时光照停止） （样品很薄，光可以穿过在各处激发均匀） t=0，停止光照， ?p(0)=?p0，?A=?p0 (2)少数载流子脉冲在电场中的漂移 n E 光脉冲 x (1)在没有电场的时候 对x从-∞到+∞积分.在t=0时,单位面积上产生的空穴数为Np,可以得到下式: (2)有电场存在(脉冲形状不变,位置x变了) 测量载流子迁移率 n型 Ec Ev EF EFn EFp p型 Ec Ev EF EFp EFn (4) 非平衡态的浓度积与平衡态时的浓度积 (5) 问题