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微电子器件公式： 部分物理常数： 半导体器件基本方程 1. 泊松方程 2. 电流密度方程 3. 电荷控制方程 PN 结 2.1 PN 结的平衡状态 1.平衡多子 2.平衡少子 3.内建电势 4.最大电场强度 5.N区耗尽区宽度 6.P区耗尽区宽度 7.总耗尽区宽度 2.2 PN 结的直流电流电压方程 1.在N型区与耗尽区的边界处，即 处 在P型区与耗尽区的边界处，即 –处 2.PN 结总的扩散电流密度 3.势垒区产生复合电流 4.薄基区二极管扩散电流 2.3 准费米能级与大注入效应 1.转折电压 2.大注入下结定律 2.4 PN 结的击穿 1.雪崩倍增因子 2.雪崩击穿近似计算 2.5 PN结的势垒电容 2.6 PN 结的交流小信号特性与扩散电容 1. PN结的直流增量电导 2. PN结的扩散电容 2.7 PN 结的开关特性 1.反向恢复时间 双极结型晶体管 3.1 双极结型晶体管基础 电流放大系数关系： 3.2 均匀基区晶体管的电流放大系数 1.基区输运系 2.基区度越时间 3.基区少子寿命 4.注入效率 5.共基极电流放大系数 6.共发射极电流放大系数 7.异质结双极晶体管（HBT） 3.4 双极晶体管的直流电流电压方程 1.埃伯斯－莫尔方程 2.共发射极电流方程 3.厄尔利电压 4.共发射极增量输出电阻 5.均匀基区厄尔利电压 3.5 双极晶体管的反向特性 1.浮空电势 2.基区穿通电压 3.击穿电压 (共基极) （共发射极） 3.6 基极电阻 3.8 电流放大系数与频率的关系 1.特征频率 3.10 功率增益和最高振荡频率 1.最大功率增益 2.高频优值 3.最高振荡频率 第 5 章 绝缘栅场效应晶体管 5.2 MOSFET 的阈电压 1.P型衬底的费米势 N型衬底 2.阈值电压 5.3 MOSFET 的直流电流电压方程 1.电流电压方程 5.5 MOSFET 的直流参数与温度特性 1.通导电阻 5.6 MOSFET 的小信号参数、高频等效电路及频率特性 1.跨导 2.漏源电导 3.跨导的截止角频率 4.本征最高工作频率 5.高频功率增益为 6.最高振荡频率