p—n结电流电压特性.pptVIP

第*页 2010年12月9日星期四 问题：掺杂ND，势垒区电势比Ecn高0.1eV处电子的浓度？？ 第*页 2010年12月9日星期四 讨论：在热平衡pn结的空间电荷区中，虽然电子和空穴的分布都是x的函数，但二者的乘积仍为ni2，是不随x变化的。 第*页 2010年12月9日星期四 热平衡下载流子浓度与电位能的关系 即：同一种载流子，如果在空间两点其电位能的差为?E，则其在此两点的浓度差相差exp(- ?E/kT) 倍，电位能越高浓度越低。 为什么空间电荷区电阻大，近似耗尽区？ 第*页 2010年12月9日星期四 这是波尔兹曼近似的一个直接推论 PN结接触电势差 以电子为例：空间电荷区两点x1、x2，其电位分别为V(x1)、V(x2)根据前面得到的空间电荷区中的载流子分布规律有： 第*页 2010年12月9日星期四 外加电压落在耗尽区？ 第*页 2010年12月9日星期四 外加电压，产生净扩散流！ 第*页 2010年12月9日星期四 第*页 2010年12月9日星期四 第*页 2010年12月9日星期四 第*页 2010年12月9日星期四 第*页 2010年12月9日星期四 反向电压不随电压增大而变化？ 第*页 2010年12月9日星期四 三、外加电压下的能带图 此时，pn结分为： P型电中性区，电子扩散区，势垒区，空穴扩散区，n型中性区。 电子和空穴的准费米能级分开，不再有统一的费米能级。 第*页 2010年12月9日星期四 四、理想pn结模型及其电流电压方程式 理想pn结模型： 1、小注入条件 2、突变耗尽层条件 3、通过耗尽层的电子和空穴电流为常量，不考虑耗尽层中载流子的产生及复合。 4、波尔兹曼边界条件。 问题：如何计算？？ 计算电流的方法： 1、计算非平衡载流子浓度，作为边界条件。 2、求解非平衡载流子的扩散方程，得到扩散区内非平衡少数载流子的分布。 3、求出扩散电流密度。 4、得到总电流密度方程。 第*页 2010年12月9日星期四 第*页 2010年12月9日星期四 在小注入下，p(xTN) 、n(-xTP)较小，?(xTN) 、 ?(-xTP)很小，使得电流中的漂移项远小于扩散项之值，相比之下，漂移流可以忽略，于是： 求载流子的分布，需要从连续性方程和流密度方程入手 先求pp’处的非平衡少数载流子浓度 第*页 2010年12月9日星期四 第*页 2010年12月9日星期四 空穴的连续性方程： 连续性方程变为： 第*页 2010年12月9日星期四 在 p区边界pp’处，x＝xp，EFn－ EFp =qV,所以， 第*页 2010年12月9日星期四 正向偏置：V一定，势垒区边界处非平衡少数载流子浓度一定，对扩散区形成了稳定的边界浓度，非平衡少子按e指数衰减。 反向偏置时，q|V|kT, Exp(qV/kT)~0 ?pn(x)~-p0n,pn(x)=0. 第*页 2010年12月9日星期四 小注入时，势垒区中不存在电场，x=xn时，空穴扩散电流密度为 忽略漂移电流，总电流等于两边界处的少子扩散电流之和 第*页 2010年12月9日星期四 理想pn结模型的电流电压方程式，又称为肖克莱方程式。 PN结I-V特性的特点： 1、单向导带性。正向偏压下，正向电流密度随正向偏压呈指数关系，迅速增大。室温下kT/q=0.026V，只要外加电压大于零点几伏，exp(qV/kT)1 J=Jsexp(qV/kT) 反向偏压下，V0，q|V|kT exp(qV/kT)?0 称为反向饱和电流，很小。 表明pn结I-V特性不对称， 具有单向导电性。 半导体物理学 北工大电控学院 第*页 半导体物理学 北工大电控学院 第*页 半导体物理学 北工大电控学院 第*页 半导体物理学 北工大电控学院 第*页 半导体物理学 北工大电控学院 第*页 半导体物理学 北工大电控学院 第*页 半导体物理学 北工大电控学院 第*