干膜制程技术介绍c.ppt

湖北奕宏精密制造干膜制程技术介绍;一.干膜制程工艺流程;二.前处理;1》.机械前处理方式 机械前处理方式有湿式磨布轮研磨,湿式火山灰研磨(火山灰尼龙刷磨,喷砂研磨),皮带式研磨。 通常较普遍采用湿式磨布轮研磨,湿式火山灰研磨方式。 湿式磨布轮研磨方式的管理： 研磨条件的管理是采用静止是磨痕宽度（8-12mm）以及磨痕宽度的均匀性进行管理。 2》.化学研磨方式 化学研磨是使用微蚀剂进行化学清洗，也有采用酸去除氧化层 ;３.前处理的效果对品质的影响： A、铜表面粗糙度对干膜粘着性的影响 1）.太平滑，会造成粘着性差； 2）.太粗糙，会造成电镀时渗度和蚀刻时侧蚀。 B、刷磨后，干燥系统也 非常重要，在表面得到适当的粗糙度后若干燥系统没做好也等于功亏一篑，表面很容易再氧化从而影响干膜粘着性。;三、压膜 １.目的: 压膜是将感光性干膜通过热压滚轮热压于基材表面的工程、目的是使感光干膜与基板表面之间有良好的密着性，以保证高成品率生产高密度、高精度的印刷电路板。 干膜室须装具防尘空调（清净度：≦10000、温度：22±2℃、湿度：55%RH±10%）;2.压膜的各参数： 板子预热温度控制在 50±5 ℃ 压辘温度控制在 105±15 ℃ 压辘压力控制在 5±1㎏f/c㎡ 压膜速度控制为： 1》.单PNL压膜速度控制在 1.1±0.5m/min 2》.成卷压膜速度控制在 1.3±0.2m/min 板出压辘的温度控制在40～65 ℃ ３.压膜后的板子插入唱片架中静止，一般静止时间在１５分钟以上４８小时以内． ;四.曝光 1.目的： 曝光是使用紫外线透过暴光底片照射感光层，使感光层硬化后形成所须的图形（正像或负像）的工程。;2.曝光能量之决定 曝光能量测定可用辐射测定仪及阶梯光尺两种，不管使用那种方式，务必与实际干膜作业同步，即在量测时感应器或阶梯尺须置于暴光台面，同时上面放置使用中之底片透明部分。目前业界使用之阶梯尺有stouffer 21Steps和Riston 25Steps两类。 使用stouffer 21Steps阶梯尺作能量测试其控制格数为7±2格。 每两小时作一次能量测试来检测暴光能量的稳定性。 ３.暴光后的板子插入唱片架中静止，一般静止时间在１５分钟以上４８小时以内．;五.显影 1.目的： 显影是将未暴光的感光性干膜均匀地溶解除去，在基板上形成硬化了的、所需要的干膜图形的工程。 2.显影药液的组成： 最常用的显影药液是以无水碳酸钠加工而成，药液浓度控制在0.8%到1.2%之间（重量比）。 ;3.干膜负荷 一般干膜在1.0%Na2CO3显影液的负荷量约为12～15mil-ft2/gal，在较高显影压力与充分水洗之下可得到较高的负荷量。当负荷过高时常见到问题是显影不洁，因此业界经常在70%～80%的负荷时更新。 ;4.操作温度 操作温度是影响显影速度最大的因素，最常用的温度范围控制在28 ～ 32 ℃。 5.干膜显影药水喷嘴压力： 　　一般显影药水喷嘴压力控制在1.4±0.5㎏/㎝2 ;6.显影点的控制： 显影点的位置指在显影过程中，未曝光的聚合之干膜被冲洗掉而露出铜面时的位置，一般我们称之为显影点．由于显影的速度受到许多因素影响，例如：浓度，负荷量，压力，温度等，因此业界显影点的位置来控制正确的显影速度。 一般干膜的显影点均控制在50%到75%之间． 显影速度控制在２.０ ±０．５m/min． ;六、蚀刻 1.目的： 　蚀刻是利用蚀刻液均匀地溶解除去的所需保护的线路图形以外的不必要的铜箔部分形成所需要的线图形的工程。 2.蚀刻液： 蚀刻液主要有三氯化铁蚀刻液,碱性氯化铜蚀刻液，酸性氯化铜蚀刻液等。 ＦＰＣ蚀刻采用的是酸性蚀刻液． ;3.蚀刻各项参数： １）蚀刻液温度控制在49±3℃ ２）蚀刻速度为： 　０．５oz铜厚的蚀刻速度控制在３．０±０．５m/min 　１．０oz铜厚的蚀刻速度控制在２．５±０．５m/min ３）蚀刻液的比重控制在：１．２３～１．４ ;４）蚀刻液的铜含量控制在：９０～１５０g/L ５）蚀刻液的酸度控制在：０．５～３．０Ｎ ６）蚀刻液的氧化还原电位控制在：４８０～ ５５０mv ７）蚀刻液的上喷压力控制在2.0±0.2㎏／ c㎡. ８）蚀刻液的下喷压力控制在:2.1±0.2㎏／ c㎡. ;七．退膜 １．目的：　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　 　　去膜工程是利用去膜液完成蚀刻工程或电镀工程后的硬化感光性干膜剥离去除的工程．;２.退膜药液的组成： 　　最常用的退膜药液是以氢氧化钠加工而成，药液浓度控制在３％