模电1-10资料.ppt

模拟电子技术基础任课教师：崔保春;办公地点：J11－420 联系电话81 E－mail：cbc8222@163.com ;学习目的和性质：;怎样学好模拟电子技术基础？;考核办法：;承 Inheritance-I; 第一章 半导体器件;第一章 半导体器件;;半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。例如：;本征半导体：完全纯净的、结构完整的半导体晶体。;Ge; Si;二 本征半导体的导电机理;15; 在本征半导体中掺入微量的杂质（某种元素）,形成杂质半导体。;1.1.3 杂质半导体（P型半导体）;杂质半导体的示意表示法; 1. 在杂质半导体中多子的数量与 （a. 掺杂浓度、b.温度）有关。;1.2.1 PN 结的形成;－;a.空间电荷区中没有载流子。;1.2.2 PN结的单向导电性;1.2.2 PN 结加反向电压（反向偏置）;PN 结变宽;1.2.3 半导体二极管;阴极引线;二 伏安特性;三 主要参数;二极管的单向导电性;四. 微变电阻 rD;五. 二极管的极间电容; PN结处于导通状态, 它所呈现出的电阻为正向电阻, 其阻值很小。 正向电压愈大, 正向电流愈大。其关系是指数关系： ; 二极管电路分析举例 ;电路如图，求：UAB;ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui;二极管：死区电压=0 .5V，正向压降?0.7V(硅二极管) 理想二极管：死区电压=0 ，正向压降=0 ;;3. 主要参数;负载电阻 。;令输入电压降到下限时，流过稳压管的电流为Izmin 。;1.2.5 光电二极管;1.2.6 发光二极管;;频率：;基区：最薄， 掺杂浓度最低;1.3.2 电流放大原理;上述过程可以得到以下结论：;三极的工作原理;1.3.3 特性曲线;　发射极是输入回路、输出回路的公共端 ;一、输入特性;特点:非线性;二、输出特性;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;输出特性曲线— iC=f(vCE)? iB= 常数; 测量三极管三个电极对地电位，试判断三极管的工作状态。; 测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V，试判断三极管的工作状态。;例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;例： ?=50， USC =12V， RB =70k?， RC =6k? 当USB = -2V，2V，5V时， 晶体管的静态工作点Q位 于哪个区？;USB =5V时:;三、主要参数;例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。;2.集-基极反向截止电流ICBO;B;4.集电极最大电流ICM;6. 集电极最大允许功耗PCM;放大的概念:;讨论：晶体管的共射输入特性和输出特性;2. 输出特性;晶体管的三个工作区域;三极管的三种基本组态（NPN型为例）;2)、共集电极连接;3)、共基极连接; 温度对晶体管特性的影响;讨论：例1;讨论：例二;基本要求;; 场效应管是一种由输入信号电压来控制其电流大小的半导体三极管，所以是电压控制器件。;场效应管的特点：;N;N;P; N沟道场效应管工作时，在栅极与源极之间加负电，栅极与沟道之间的PN结为反偏。 在漏极、源极之间加一定正电压，使N沟道中的多数载流子(电子)由源极向漏极漂移，形成iD。 iD的大小受uGS的控制。; 当uGS＜0时，PN结反偏，耗尽层变厚，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小；;2、uDS对导电沟道的影响 ;JFET伏安特性曲线;u;u;u;3、转移特性曲线;N沟道结型场效应管的特性曲线;输出特性曲线;当管子工作在恒流区，uDS对iD的影响很小。;二、工作原理（以P沟道为例）;P;P;P;P;;;三、特性曲线;预夹断曲线; 结型场效应管的缺点：;1.4.2 绝缘栅场效应管:;N 沟道耗尽型;N;P 沟道耗尽型;二、MOS管的工作原理;P;UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。;P;P;增强型MOS管uDS对iD的影响;耗尽型MOS管;MOS管的特性;120; 喷雾器是利用流速大、压强小的原理制成的。让空气从小孔迅速流出，小孔附近的压强小，容器里液面上方的空气压强大，液体就沿小孔下边的细管升上来，从细管的上