电力半导体器件综述.ppt

第一章 电力半导体器件;对应电力二极管，由于要求承受高压，与普通的P-N结不同，其内部 一个N-层，其杂质浓度很低，电阻率很高，通过它实现很高的耐压 能力。;I;3.;比较：1 击穿实质不同：一个是通过碰撞产生载流子；一个是通过 强电场直接破坏共价键； 2 产生条件不同：齐纳击穿要求高杂浓度，雪崩击穿浓度较低； 3. 联系：发生齐纳击穿一定产生雪崩击穿；而发生雪崩 击穿则未必发生齐纳击穿。;特点：工艺上多采用掺金措施，结构上多采用PN结型结构。或改进的 PIN型结构，但耐压不高。;Silicon Controlled Rectifier ;图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原理 a) 双晶体管模型 b) 工作原理 ;◆晶体管的特性是：在低发射极电流下? 是很小的，而当 发射极电流建立起来之后，? 迅速增大。 ◆在晶体管阻断状态下，IG=0，而?1+?2是很??的。由上式 可看出，此时流过晶闸管的漏电流只是稍大于两个晶体管 漏电流之和。 ◆如果注入触发电流使各个晶体管的发射极电流增大以致 ?1+?2趋近于1的话，流过晶闸管的电流IA（阳极电流）将 趋近于无穷大，从而实现器件饱和导通。 ◆由于外电路负载的限制，IA实际上会维持有限值。 ;2 晶闸管的基本特性;◆晶闸管的伏安特性 ?正向特性 √当IG=0时，如果在器件两端施加正向电压，则晶闸管处于正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过。 √如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通 。 √随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低，晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 √如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态，IH称为维持电流。 ;?反向特性 √其伏安特性类似二极管的反向特性。 √晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反向漏电流通过。 √当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增大，导致晶闸管损坏。 ;晶闸管的基本特性;◆关断过程 ?由于外电路电感的存在，原处于导通状态的晶闸管当外加电压突然由正向变为反向时，其阳极电流在衰减时必然也是有过渡过程的。 ?反向阻断恢复时间trr 正向阻断恢复时间tgr 关断时间tq=trr+tgr ?关断时间约几百微秒。 ?在正向阻断恢复时间内如果重新对晶闸管施加正向电压，晶闸管会重新正向导通，而不是受门极电流控制而导通。 ;晶闸管门极与阴极之间的PN结J3，其伏安特性 称为门极伏安特性。;3 晶闸管的主要参数;2.3.3 晶闸管的主要参数;2.3.3 晶闸管的主要参数;■动态参数 ◆开通时间tgt和关断时间tq ◆断态电压临界上升率du/dt ?在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。 ?电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通 。 ◆通态电流临界上升率di/dt ?在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 ?如果电流上升太快，可能造成局部过热而使晶闸管损坏。;1.3.2 双向晶闸管;双向晶闸管的触发方式 双向晶闸管正反两个方向都能导通，门极加正负电压都能触发。主电压与触发电压相互配合，可以得到四种触发方式： Ⅰ+ 触发方式：主极T1为正，T2为负；门极电压G为正（对T2）。特性曲线在第Ⅰ象限。 Ⅰ- 触发方式：主极T1为正，T2为负；门极电压G为负(对T2)。特性曲线在第Ⅰ象限。 Ⅲ+ 触发方式：主极T1为负，T2为正；门极电压G为正(对T2)。特性曲线在第Ⅲ象限。 Ⅲ- 触发方式：主极T1为负，T2为正；门极电压G为负(对T2)。特性曲线在第Ⅲ象限。 由于双向晶闸管的内部结构原因，四种触发方式中触发灵敏度不相同，以Ⅲ+ 触发方式灵敏度最低，使用时要尽量避开。常采用的触发方式为Ⅰ+ 和Ⅲ- 。 Ⅰ+触发灵敏度最高。 ;1.3.3 光控晶闸管;1.4.1 门极可关断晶闸管;◆GTO的工作原理 ：导通过程 ?仍然可以用如左所示的双晶体管模型来分析;GTO工作原理：关断过程; 当门极施加负脉冲时，门极负电流排除P2区非平衡空穴载流子的积累，门极负电压阻止N2区 阴极非平衡载流子的注入。门极负电流，意味着P2基区中的空穴通过门极流出器件，而电子则通过J3结从阴