光電子技术22光波在电光晶体中的传播.pptVIP

§2.2 光波在电光晶体中的传播;晶体双折射现象;?光波在介质中的传播规律受到介质折射率分布的制约，而折射率的分布又与其介电常量密切相关。晶体折射率可用施加电场E的幂级数表示，即; 对电光效应的分析和描述有两种方法：一种是电磁理论方法，但数学推导相当繁复；另一种是用几何图形───折射率椭球体(又称光率体)的方法，这种方法直观、方便，故通常都采用这种方法。 ;式中，x，y，z为介质的主轴方向，也就是说在晶体内沿着这些方向的电位移D和电场强度E是互相平行的；nx，ny，nz为折射率椭球的主折射率。;式中，γij称为线性电光系数；i取值1，…，6；j取值1，2，3。(5)式可以用张量的矩阵形式表式为：; = . ;式中， 是电场沿 方向的分量。 具有 元素的矩阵称为电光张量，每个元素的值由具体的晶体决定，它是表征感应极化强弱的量。下面以常用的KDP晶体为例进行分析。 ;而且 ,因此，这一类晶体独立的电光系数只有 两个。将(7)式代入(6)式,可得： ;将(8)式代入(4)式，便得到晶体加外电场E后的新折射率椭球方程式:; 为了寻求一个新的坐标系 (x’, y’, z’)，使椭球方程不含交叉项，即具有如下形式：;将(12)式代入(10)式，可得：;y;由于γ63 很小（约10-10m/V）,一般是γ63EZ ，; 由此可见，KDP晶体沿 Z（主）轴加电场时，由单轴晶变成了双轴晶体，折射率椭球的主轴绕z轴旋转了45o角，此转角与外加电场的大小无关，其折射率变化与电场成正比，(16)式的△n值称为电致折射率变化。这是利用电光效应实现光调制、调Q、锁模等技术的物理基础。; 下面分析一下电光效应如何引起相位延迟。一种是电场方向与通光方向一致, 称为纵向电光效应;另一种是电场与通光方向相垂直, 称为横向电光效应。仍以KDP类晶体为例进行分析, 沿晶体Z轴加电场后，其折射率椭球如图2所示。如果光波沿Z方向传播，则其双折射特性取决于椭球与垂直于Z 轴的平面相交所形成的椭园。在(14)式中，令 Z = 0，得到该椭圆的方程为:;y;这个椭圆的一个象限如图中的暗影部分所示。它的长、短半轴分别与 x’ 和 y’ 重合, x’ 和 y’ 也就是两个分量的偏振方向, 相应的折射率为 nx’ 和 ny’ 。 ;因此，当这两个光波穿过晶体后将产生一个相位差;当光波的两个垂直分量Ex’ , Ey’ 的光程差为半个波长(相应的相位差为π)时所需要加的电压，称为“半波电压”，通常以 表示。由(19)式得到;表1 KDP型(42m晶类)晶体的半波电压和 (波长＝0.5um); 根据上述分析可知，两个偏振分量间的差异，会使一个分量相对于另一个分量有一个相位差（△?），而这个相位差作用就会(类似于波片）改变出射光束的偏振态。在一般情况下，出射的合成振动是一个椭圆偏振光，用数学式表示为：;让我们先考察几种特定情况下的偏振态变化。 ;(2)当晶体上所加电场（ ）使 时，(21)式可简化为 ;上式说明合成光又变成线偏振光，但偏振方向相对于入射光旋转了一个2θ角(若=450，即旋转了900，沿着y方向)，晶体起到一个“半波片”的作用。; 在晶体的出射面(z＝L)处，两个分量间的相位差可由上两式中指数的差得到(x’ 分量比y’分量的大）; 图4示出了某瞬间 和 两个分量(为便于观察，将两垂直分量分开画出)，也示出了沿着路径上不同点处光场矢量的顶端扫描的轨迹，在z＝0处(a)，相位差 ，光场矢量是沿X方向的线偏振光；在e点处， ，则合成光场矢量变为一顺时针旋转的圆偏振光；在i点处， ，则合成光矢量变为沿着Y方向的线偏振光，相对于入射偏振光旋转了90o。如果在晶体的输出端放置一个与入射光偏振方向相垂直的偏振器，当晶体上所加的电压在0— 间变化时。从