3第三章载流子的统计分布.pptVIP

第3章半导体中载流子的统计分布;主要内容;§3-1热平衡状态及电子在量子态上的分布;2．导带和价带的状态密度;导带底的状态密度gc(E)为;3．电子在量子态上的分布;费米分布函数;费米分布函数;空穴占据能级的几率;（3）波尔兹曼分布 fB;载流子在能带中的分布;费米能级位置随电子填充能带的变化;导带底的电子浓度推导;导带电子浓度no和价带空穴浓度po的普遍表达式;电子和空穴浓度的乘积n0p0;§3-3本征激发的载流子浓度;本征载流子浓度ni和温度的关系曲线;2．本征费米能级Ei;no 和ni的关系推导（作业）;§3-4杂质半导体载流子浓度;前言;1．电中性条件;电中性条件的应用;电中性条件结论;施主能级上的电子浓度;2．费米能级和多子、少子浓度的计算;费米能级和多子、少子浓度的计算例题;载流子激发随温度的变化;载流子浓度随温度的变化;费米能级和温度，杂质浓度的关系图;费米能级随杂质而变化的示意图;费米能级在低温区，和温度的关系图;例题; ;§3-6简并半导体;2．简并化条件;3．简并半导体的杂质能级;简并半导体的禁带宽度变窄