Zn在III-V族半导体中的扩散选编.pptx

;;;Zn原子在N型衬底中的掺杂浓度分布;Zn在III-V族半导体中扩散研究的实验方法; Zn在III-V族半导体中扩散研究的实验方法;;2.密封式扩散法;;;扩散机理简介;通过质量作用定律,并且考虑到最终扩散样品中填隙态Zn浓度远远小于替位态Zn浓度,那么由上述两个方程描述的扩散过程中扩散率可通过下式粗略计算; Boltzmann-Matan方法计算杂质扩散率与浓度的关系;4.1Boltzmann-Matan方法计算杂质扩散率与浓度的关系;将表达式 作出相应的转化，得到;对于半无限厚系统中的扩散,设定扩散边界处x=0,其初始条件(t=0时)为 ;当η的取值使得浓度C1位于0和C‘之间时，可将*式对C进行积分,;从中可得到扩散曲线中浓度C=C1时,扩散率D的大小 ;dx/dC为浓度为C1处扩散曲线的切线斜率值的倒数,而 为扩散曲线、C= C1时的水平线、以及横纵坐标围起来的面积值,其值等于图中条状面积大小 ;2、GaSb红外电池研究背景 GaSb红外电池是目前热光伏发电系统中最常用的光电转换器件，每年发表在国际能源类期刊上的热光伏发电技术的论文中,90%以上都釆用GaSb电池作为光电转换器件。除了应用于热光伏发电系统,GaSb电池在近红外波段具有较高光谱响应度,可与近红外波段激光器组成无线输电系统在无人侦