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PAGE  附件11： “氮化镓基毫米波器件和材料基础与 关键问题研究”重大项目指南 新型半导体材料和器件的研究与突破，常常导致新的技术革命和新兴产业的发展。以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，是继以半导体硅（Si）为代表的第一代半导体材料和以砷化镓（GaAs）为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的新型半导体材料。GaN基半导体材料具有宽带隙、大电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、抗辐射等突出优点，特别适合制作高频、高效、高温、高压、大功率微波器件，基于GaN的AlGaN/GaN HEMT器件具有输出功率密度大、耐高温、抗辐射等特点，能满足下一代电子装备对微波功率器件更大功率、更高频率、更小体积和更恶劣条件高温度下工作的要求。可以广泛应用于微波毫米波频段尖端电子装备，在民用通信基站等领域有广泛的应用，越来越受到高度重视。GaN基器件和电路是目前全球半导体研究的前沿和热点，是各国竞相占领的战略高技术制高点。我国在“十一五”重大专项中明确提出研制C-Ka波段的GaN功率器件和电路，独立自主地解决核心固态微波功率器件，与国际同步开展宽禁带半导体GaN基功率器件和电路的研究，并在短期内将其推进到实用化，实现我国在该领域的重大跨越和可持续发展，因此，及时部署氮化镓基毫米波器件和材料基础与关键问题研究具有重要意义。 一、科学目标 根据国家重大需求和本领域的国际前沿发展趋势，围绕GaN基毫米波、亚毫米波功率器件研制中涉及的核心科学问题和高技术问题开展工作，主要进行GaN基毫米波器件制备和材料生长中的关键科学问题、GaN基功率器件可靠性关键科学问题、GaN基毫米波功率器件与材料的新结构三个方面的系统研究。通过本项目的支持，在国内形成一支具有重要国际影响的宽禁带半导体核心研究团队，取得一批重要成果，形成完整的、具有自主知识产权的、从材料到电路的宽禁带半导体创新价值链。力争研制出拥有自主产权的GaN基毫米波微电子材料，加快毫米波大功率GaN基 HEMT结构材料的实用化进程，突破毫米波GaN器件关键工艺，实现器件的ft100 GHz，输出功率??度达到5-10W/mm，可靠性超过1000小时，实现自主产权的高端元器件可持续发展，为我国宽禁带半导体电子器件的创新跨越发展奠定基础。 二、研究内容 （一）GaN基毫米波功率器件和材料基础与关键技术研究：解决限制GaN基毫米波功率器件在Ku、Ka波段工作的主要材料、器件理论和工艺问题，实现高性能的GaN基毫米波功率器件。 （二）GaN基功率器件与材料可靠性基础问题研究：对GaN基功率器件和材料进行失效机理方面的研究，重点开展电流崩塌机理、材料缺陷、位错与器件失效机理、表面态和极化效应与器件失效机理的研究等，通过器件可靠性试验，提出新的高可靠器件的设计制造方案，解决GaN基功率器件实用化瓶颈。 （三）GaN基毫米波功率器件与材料的新结构研究：开展新原理、新方法、新结构研究，如基于近表面可动电荷的GaN基HEMT器件电流崩塌机理研究、新型含In结构的GaN基HEMT结构材料的研究和绝缘栅GaN HEMT微波功率器件研究等，为GaN基毫米波功率器件的发展提供必要的技术储备。 三、资助年限 4年 四、拟资助经费 1000万元 五、申请与受理 申请书的资助类别选择“重大项目”，亚类说明选择“项目申请书”或“课题申请书”，附注说明选择“氮化镓基毫米波器件和材料基础与关键问题研究”。 本项目由信息科学部、数理科学部和工程与材料科学部联合提出，由信息科学部受理申请。