20101122线缺陷及面缺陷.ppt

§3.2 线缺陷;3.2.1位错的基本类型 刃型位错 ：正刃型位错（ ）、负刃型位错( );刃型位错的几何特征： (1)位错线与其滑移矢量d垂直，刃型位错可以为任意形状的曲线。 (2)有多余半原子面。 习惯上，把多余半原子面在滑移面以上的位错称为正刃型位错，用符号“┻”表示，反之为负刃型位错，用“┳”表示。刃型位错周围的点阵畸变关于半原子面左右对称。;(2)螺型位错：左螺型位错、右螺型位错;; 螺位错具有如下的几何特征： (1)螺位错线与其滑移矢量d平行，故纯螺位错只能是直线。 (2)根据螺旋面的不同，螺位错可分左和右两种，当螺旋面为右手螺旋时，为右螺位错，反之为左螺位错。 (3)螺位错没有多余原子面，它周围只引起切应变而无体应变。;(3) 混合型位错;位错的性质： 形状：不一定是直线，位错及其畸变区是一条管道。 是已滑移区与未滑移区???边界。 不能中断于晶体内部。可在表面露头，或中止于晶界和相界，或与其它位错相交，或自行封闭成环。;位错的易动性;3.2.2 柏氏矢量;柏氏矢量 （1）确定方法 a 规定位错线指出屏幕（纸面）为正 b 在位错周围沿着点阵结点形成右螺旋的封闭回路。（柏氏回路） c 在理想晶体中按同样顺序作同样大小的回路。 （不能闭合） d 在理想晶体中从终点到起点的矢量即为柏氏矢量。;柏氏矢量 （1）确定方法 a 在位错周围沿着点阵结点形成右螺旋的封闭回路。（柏氏回路） b 在理想晶体中按同样顺序作同样大小的回路。 c 在理想晶体中从终点到起点的矢量即为柏氏矢量。;(2)柏氏矢量的表示方法 a 表示: b 求模：;(3)柏氏矢量的特性 a 代表位错，并表示其特征（强度、畸变量）。 b 表示晶体滑移的方向和大小：b平行于滑移方向 c 柏氏矢量的守恒性（唯一性）：一条位错线具有唯一的柏氏矢量。 d 判断位错的类型：刃型位错b垂直于位错线，螺型位错b平行于位错线。 e 用柏氏回路求得的柏氏矢量为回路中包围的所有位错柏氏矢量的总和（矢量和） —— 可加性 ;3.2.3 位错密度;3.2.3 位错密度;*;*;*;与b矢量平行的切应力使刃位错滑移 只需很小能量即可使滑移传播（始于有限区域）;刃位错滑移 原子模型; 【Eg.】为何金属具有延展性、而陶瓷表现出脆性？ 金属滑移系统多：金属键无方向性，； 陶瓷滑移系统少：共价键、离子键具有方向性，离子晶体滑移时具有选择性，同号离子相遇产生极大斥力阻碍滑移;(2)、攀移 刃型位错除了在滑移面上运动外，还可以发生垂直于滑移方向的运动，称为位错的攀移。位错攀移时，伴随着空位/填隙原子的产生/消失 ; 对正刃型位错：位错线向上攀移时，消除空位/产生填隙原子；向下攀移时，产生空位/消除填隙原子 ;(3)、位错塞积 位错运动→障碍：位错堆积 一群塞积的位错－位错群：前密后稀;【Eg.】多晶材料中在晶界前形成位错塞积 晶界处晶粒的位相差→邻近晶粒滑移系统取向不一致（离子/共价晶体滑移系统少，更易发生）;位错在空间沿折线运动所需能量大，外加切应力在新滑移方向上不一定超过临界应力，造成位错在晶界前停滞塞积 障碍前塞积的位错可能造成微裂纹;§3.3 面缺陷;界面构成晶态固体组织的重要组成部分；是二维晶体缺陷。 结构不同于晶体内部，因而有很多重要的不同于晶体内部的性质，影响晶体的一系列物理化学过程，且对晶体整体性能也具有重要影响。 例如晶体生长、外延生长、摩擦、润滑、磨蚀、表面钝化、催化、吸附、扩散以及各种表面的热粘附、光吸收和反射、热电子和光电子的吸收和反射等；晶体中的界面迁动、异类原子在晶界的偏聚、界面的扩散率、材料的力学和物理性能等也都和界面结构有直接的关系。 是现代材料学科中一个活跃的课题。;静态表面原子状态和表面结构静态：指原子不动（无热激活） 清洁表面区电子密度分布的变化/现象一 ; 外表面：表面原子的排列与内部有较为明显的差别，表面处原子周期性排列中断，形成附加表面能。 为减小表面能，原子排列必须作相应调整。对晶体而言，经过4－6层后，原子排列与晶体内基本接近(晶格常数差小于0.1A);表面能(γ）：晶体表面单位面积自由能的增加 影响γ的因素： (1) 与晶体表面原子排列的致密程度有关。原子 密排的表面具有最小的表面能。 (2)γ还与晶体表面曲率有关。曲率半径小,曲率 大,γ愈大。 (3)外部介质的性质。介质不同,则γ不同。 (4)还与晶体性质有关。晶体本身结合能高，则γ大 ; 在实际的表面上存在着大量的平台(Terrace)、台阶(Ledge)和扭折(Kink，亦称为断口)。该结构称为T