数字设计原理与实践第3章答案.pptVIP

数字逻辑设计习题解答第三章;3.1 逻辑0 逻辑1以及不确定逻辑;3.7 二输入CMOS与非门中晶体管的类型和个数;3.9 对于给定的硅面积，CMOS与非门要CMOS或非门速度要快。N沟道的导通电阻比P沟道的导通电阻低。;3.16 CMOS反向门还是非反向门用的晶体管少？;3.23如果输出电流为负值，那么是提供电流还是吸收电流？;3.37一个斯密特反向触发器：;3.39 open-drain上拉电阻问题;3.39 open-drain上拉电阻问题;3.47 N 输入的二极管与门需要N个二极管;3.49 TTL 驱动多个TTL（表3-10）;3.56 噪声门限：多大的噪声会使最坏输出电压被破坏得不可识别;3.57 CMOS驱动TTL;思考题： 3.42 漏极开路门电路的上拉电阻比标准CMOS门的p沟道晶体管的“导通”电阻大，和有源上拉的标准门相比，其低态到高态输出转换时间要长得多。 例：漏极开路门电路为HC系列CMOS， 低态时“导通”阻约为 ，从高态到低态转换的时间常数???8ns，然而从低态到高态转换的时间常数为150ns。;3.51 CMOS与或非门的速度快。 ;3.60