武汉理工大学材料科学基础第2章部分习题.pptVIP

第二章晶体结构与晶体中的缺陷 习题课; 2、书写缺陷反应式应遵循的原则 3、缺陷浓度计算 4、固溶体的分类及形成条件 5、研究固溶体的方法 ;点缺陷;非化学计量化合物类型：;2-1 名词解释： 类质同晶：化学组成相似或相近的物质，在相同的热力学条件下，形成的晶体具有相同的结构，这种现象称为类质同晶现象。 同质多晶：化学组成相同的物质，在不同的热力学条件下，结晶成结构不同的晶体的现象。 ;2-2 ThO2具有萤石结构：Th4+离子半径为0.100nm，O2-离子半径为0.140nm，试问 a）实际结构中的Th4+正离子配位数与预计配位数是否一致？ b）结构是否满足鲍林规则。 ;MgO具有NaCl结构，根据O2-半径0.140nm和Mg2+半径为0.072nm，计算① 球状离子所占据的空间分数（堆积系数）；② MgO的密度。 解：① MgO属于NaCl型结构，即面心立方结构，每个晶胞中含有4个Mg2+和4??O2-，故MgO所占体积为 VMgO=4×4/3π(RMg2+3+RO2-3） =16/3π×(0.0723+0.1403) =0.0522（nm3) ∵Mg2+和O2-在面心立方的棱边上接触 ∴a=2（RMg2++RO2-）=2×(0.072+0.140)=0.424nm ∴堆积系数=VMgO/V晶胞=0.0522/(0.424)3=68.5% ②DMgO=mMgO/V晶胞=n.(M/N0)/a3 =4×(24.3+16.0)/[(0.424×10-7)3×6.02×1023] =3.51g/cm3;2-3　在萤石晶体结构中，Ca2+半径0.112nm，F-半径0.131nm，萤石晶胞棱长为0.547nm，求： ⑴萤石晶体中离子堆积系数(球状离子所占据的空间分数) ⑵萤石的密度;2-4 硅酸盐晶体结构分类原则：根据结构中硅氧四面体的连接方式分成五种  硅酸盐晶体结构类型与Si/O比的关系;2-5 (１) O2-作立方面心堆积时,画出适合阳离子位置的间隙类型及位置，(以一个晶胞为结构基元表示出来);?(2) 计算八而体空隙数与O2-数之比,四面体空隙数与O2-数之比;(3) 用键强度及鲍林规则解释（电价规则）,对于获得稳定结构各需何种价离子（空隙内各需填入何种价数的阳离子，举出—个例子） 　I. 　 所有八而体空隙位置均填满;　 II.　 所有四面体空隙位置均填满;　 III.　 填满—半八面休空隙位置. 　IV. 填满—半四面体空隙位置;解：(1)　略（第一章中等大球体立方米堆）;第一章 PPT 113-119 　　(2)　八面体空隙数/O2-数=1:1,四面体空隙数/O2-数=2:1;　　(3） （静电价规则）：在一个稳定的晶体结构中，从所有相邻的阳离子到达一个阴离子的静电键的总强度，等于阴离子的电荷数。 I.　 CN=6，z+/6×6=2，z+=2，2价阳离子 FeO,MnO;　　　 II. 　 CN=4，z+/4×8=2，z+=1， 1价阳离子 Na2O,Li2O;　　　 III. 　CN=6，z+/6×3=2，z+=4， 4价阳离子 MnO2. 　　　 IV. 　CN=4，z+/4×4=2，z+=2， 2价阳离子 ZnＯ;;紧密堆积中球数和两种空隙间的关系： 在两种最紧密堆积方式中，每一个球的周围都有6个八面体空隙和8个四面体空隙。而八面体空隙由6个球组成，四面体空隙由4个球组成，因此一个球周围只有6×1/6＝1个八面体空隙和8×1/4＝2个四面体空隙是属于它的。 若有n个球最紧密堆积，则四面体空隙总数为8 × n∕4 ＝2n个；而八面体空隙总数为6 × n∕6 ＝n个。; 2－6 (a) 在CaF2晶体中，Frankel缺陷形成能为2.8eV，Schttky缺陷的生成能为5.5eV，计算在25℃和1600℃时热缺陷的浓度？ (b) 如果CaF2晶体中，含有10－6的YF3杂质，则在1600℃时， CaF2晶体中是热缺陷占优势还是杂质缺陷占优势？说明原因。;2－7 试写出下列缺陷方程;2－9 高温结构材料Al2O3可以用ZrO2来实现增韧，也可以用MgO来促进Al2O3的烧结。 (a) 如加入0.2mol% ZrO2,试写出缺陷反应式和固溶分子式。 (b)如加入0.3mol% ZrO2和Xmol%MgO对Al2O3进行复合取代，试写出缺陷反应式、固溶分子式及求出X值。;2-10 ZnO是六方晶系，a=0.3242nm，c=0.5195nm，每个晶胞中含2个ZnO分子，测得晶体密