中科大高等固体物理4—维度.pptVIP

第四章 维度;4.1 半导体低维电子系统 1.维度 三维自由电子气体，沿z方向对体系的尺寸限制： ;2. Si反型层及GaAs-AlGaAs异质结;;金属;Split gates and one-dimensional electron gases;3.量子化霍尔效应（Quantum Hall Effects (QHE) ) (1)霍尔效应基础;根据德鲁特电导理论, 金属中的电子在被杂质散射前的一段时间t内在电场下加速, 散射后速度为零. t称为弛豫时间. 电子的平均迁移速度为: ;稳态时, , 假定磁场沿z方向, 在xy 平面内;另一方面;解为：;计算平均速度;K. von Klitzing, G. Dorda, and M. Pepper, Phys. Rev. Lett. 45, 495 (1980) for a sufficiently pure interface ( Si-MOSFET ) = integer quantum Hall effect ;;实验设置示意图 ;;;When these levels are well resolved, if a voltage is applied between the ends of a sample, the voltage drop between voltage probes along the edge of a sample can go to zero in particular ranges of B, and the Hall resistance becomes extremely accurately quantised;由于杂质的作用, Landau能级的态密度将展宽(如下图). 两种状态: 扩展态 和 局域态 只有扩展态可以传导霍尔电流(0度下), 因此若扩展态的占据数不变, 则霍尔电流不变. 当Fermi能级位于能隙中时, 出现霍尔平台. Laughlin(1981) 和 Halperin(1982)基于规范变换证明：;应用： (a)电阻标准;应用： (b)精细结构常数的测量;(3)分数量子霍尔效应;分数量子霍尔效应: 崔琦, Stomer 等发现, 当Landau能级的占据数;;分数量子霍尔效应不可能在单粒子图象下解释, 引入相互作用;Laughlin 计算了m=3, m=5时这一波函数的能量, 发现比对应密度下CDW的能量要低. 这一状态称为分数量子霍尔态, 或Laughlin态, 当密度改变从而偏离占据数1/3, 1/5时, 对应于准粒子激发, 激发谱具有能隙, 准粒子的电荷为分数(1/3, 1/5). 因此Laughlin态是一个不可压缩的量子液体状态.;同 IQHE一样, Fermi 能级处于能隙位置时, 出现FQHE 平台. 不同之处在于IHQE的能隙来源于单粒子态在强磁场中的量子化, 而FQHE的能隙来源于多体关联效应. Haldane 和 Halperin, 利用级联模型, 指出Laughlin 态的准粒子和准空穴激发将凝聚为高阶分数态, 如从 1/3 态出发, 加入准粒子导致 2/5态, 加入空穴导致2/7态. 准粒子由这些态激发出来并凝聚为下一级的态 . ;级联模型的特点: 1. 无法解释那一个子态是较强的态. 2. 几次级联后, 准粒子的数目将超过电子的数目. 3. 系统在分数占据数之间没有定义. 4. 准粒子具有分数电荷.;;;;;;新进展;The Quantum Hall effect (QHE) is one example of a quantum phenomenon that occurs on a truly macroscopic scale. The signature of QHE is the quantization plateaus in the Hall resistance (Rxy) and vanishing magnetoresistance (Rxx) in a magnetic field. The QHE, exclusive to two-dimensional metals, has led to the establishment of a new metrological standard, the resistance quantum, , that contains only fundamental constant. As with many other quantum phenomena, the observation of the QHE usually requires low tempe