微电子器件第三章双极型晶体管的频率特性教程.pptVIP

第三章 双极型晶体管的频率特性; 双极型三极管的参数; 双极型三极管的参数; 双极型三极管的参数;第三章 双极型晶体管的频率特性; ;二、晶体管的频率参数;特征频率fT：共发射极交流短路电流放大系数为1时 对应的工作频率;二、晶体管的频率参数;§ 3.2 晶体管的交流特性分析;注意：一维模型中规定的电流方向 与npn管实际电流方向相反;一、均匀基区晶体管（以npn管为例）;一、均匀基区晶体管（以npn管为例）;14;边界条件：x=0处，;图3-3 均匀基区电子浓度分布;通过基区的电子电流密度交流分量;通过发射结的交流电流分量：;基区宽变效应： 基区宽度随集电结电压变化而变化，从而引起输出电流的变化;二、缓变基区晶体管;§ 3.3 晶体管的高频参数及等效电路;晶体管高频参数是高频特性方程组中的一组参数 一方面，将晶体管的结构参数与四端网络的特性参数相联系 另一方面，通过等效电路反映晶体管内部结构与外电路的关系，使晶体管的CAD及计算机模拟得以实现;一、晶体管高频Y参数及其等效电路;按四端网络定义电流方向整理后：;由连续性方程所得，称本征Y参数，且没有频率限制;1、共基极本征输入导纳Yeei; 图3-9 均匀基区晶体管的发射结扩散电容;;2、共基极本征输出导纳Ycci;3、共基极本征正向转移导纳Ycei;4、共基极本征反向转移导纳Yeci;无量纲，称为电压反馈系数 当保持发射极交流开路时，即Ie=0，IE不变，集电极电压变化对发射极电压的影响 也称反向电压放大系数 发射极交流开路，意味着发射极电流维持直流偏置电流不变（恒流），当Vc→△Vc时，Wb产生△Wb的变化，引起基区少子分布变化，为了使IE不变(Ie=0)，应有△VE使nE变化△nE;33;图3-12 共基极Y参数等效电路;二、晶体管高频h参数及其等效电路;二、晶体管高频h参数及其等效电路;h参数与Y参数只是从不同角度反映晶体管内部电流、电压关系，因而其间可以互相转换 低频时可忽略电容效应 高频时可忽略基区宽变效应;低频时可忽略电容效应 高频时可忽略基区宽变效应; h11和h12的意义 ;图3-16 共发射极高频h参数等效电路 ;图3-18 完整的晶体管等效电路;目的：高频下晶体管电流放大系数随工作频率变化的物理实质（关系） 方法：利用晶体管的等效电路，逐步分析载流子的运动过程（中间参数） 实质：RC回路对高频信号产生延迟和相移（电容的分流作用）;一、发射效率及发射结延迟时间;因re、CTe并联，具有等电压关系;;二、基区输运系数及基区渡越时间;二、基区输运系数及基区渡越时间;进行整理、简化，得;对于均匀基区，如果(3-67)展开双曲函数后取一级近似，则有;对于均匀基区渡越时间有以下三个表达式：; 发射结上电压的交变同时引起CDe和CTe的充放电，这两部分电容的充放电电流最后均转变成基极电流，使总发射极电流随频率升高而增大，发射效率下降。 在等效电路上CTe 和CDe 是并联的，但实质上CTe 反映的电荷变化发生在eb结势垒区，而CDe反映的电荷变化发生在基区中。;三、集电结势垒输运系数及渡越时间;负半周;关于集电结势垒渡越时间（空间电荷区延迟时间）有 平行板电容器模型——《晶体管原理》张屏英 周佑谟 单边突变结模型——《微电子技术基础》曹培栋——参考 (P166) Qd=Q/2模型——《双极型和场效应晶体管》武世香——自学;附加电场的电力线终止在极板上，使极板上感应出相应的电荷 极板a上感应正电荷，对应基极电流提供的空穴 极板b上感应正电荷，对应集电区侧空间电荷区展宽，电子流出，形成传导电流 因此，运动电荷尚未到达b极板，极板上已因感应而产生传导电流;? ? ? ? ?;以上讨论的是一个电荷薄层在集电结空间电荷区运动的情况;58;59;集电结势垒延迟时间等于载流子穿越空间电荷区所需延迟时间的一半 集电极电流并不是渡越势垒的载流子到达集电极“极板”才产生的，当载流子还在穿越空间电荷区的过程中，就在集电极产生了感应电流 集电极电流是空间电荷区内运动的载流子在集电极所产生的感应电流的平均表现 当信号波长远大于势垒区宽度时，所得结果才成立;;四、集电区倍增因子与集电极延迟时间;交变电流流过集电结势垒区引起其中电荷密度的变化 交变电流流过集电区在串联电阻上产生压降引起集电结势垒电容上电压交变 两者都通过集电结势垒电容的充放电对输出电流分流并产生延迟 两者同时发生在集电结中; 交变信号作用下 晶体管各部分电容充放电使载流子运动（信号传输）产生延迟； 充放电电流的分流作用使输出电流幅值下降，电流放大系数下降 发射结势垒电容充放电引起发射效率下降和注入基区的电流延迟