nd2o3電阻式薄膜記憶體最佳退火特性與最穩定電流電壓值之研究.docVIP

Nd2O3電阻式薄膜記憶體最佳退火特性與最穩定電流電壓值之研究 李堅誌鄭建民楊汎緯南臺科技大學 電子工程系研究生南臺科技大學 電子工程系教授南臺科技大學 電子工程系副教授You6110179@ccmin523@ HYPERLINK mailto:fwyang@.tw \o 發信 fwyang@.tw  摘要 本實驗利用射頻磁控濺鍍法在ITO/Glass為基板上沉積Nd2O3薄膜。通入40%氧氣濃度進行不同退火溫度以及最佳電流值找出最佳參數並進行電性、物性量測與電流機制探討，並在Nd2O3薄膜上鍍鋁(Al)做為上電極，因此形成一個金屬/絕緣層/金屬(MIM)電阻式記憶體。利用X-光繞射(XRD)與掃描式電子顯微鏡(SEM)分析薄膜的表面型態、結晶性與粗糙均勻度。電特性使用半導體參數分析儀(HP4156C)來量測Nd2O3薄膜的電流對電壓(I-V)特性，以此探討電阻式記憶體之特性，找??最佳參數與穩定的電壓與電流曲線圖。由實驗結果得知Nd2O3薄膜在溫度450度時，可以獲得最佳穩定之高電阻態(HRS)與低電阻態(LRS)。Nd2O3薄膜在no/off ratio量測在0.02安培為最佳穩定。 關鍵字: Nd2O3、電阻式記憶體、漏電流、退火。 Abstract By the RF sputtering technique, Nd2O3 thin films were deposited on the ITO/Glass substrates. And the Aluminum top explode then also was deposited on the thin film to form a Metal/Insulator/Metal Resistive Random Access Memory. From the XRD and SEM results, 450oC-annealing RRAM revealed better crystalline and uniform grains. Furthermore, from the I-V results, the optimum On/Off ratio was 4, and as the operating current was 0.02 A, the RRAM can operate more than 200 times. Keywords: NdO, Resistive Random Access Memory, Leakage Current, Annealing. I. 前言 這幾年電子產業發展不斷更新替換，記憶體在電子產品上是人們不可或缺的商品。目前需要讓記憶體的體積變得更小，耐久性提高、容量變大之外，個人認為可以再把它做成透明化，這樣就可以隱藏效果或者做的更小變成隨身攜帶裝飾品。記憶體可分別揮發性(volatile)與非揮發性(non-volatile)記憶體。其中揮發性記憶體有動態隨機存取記憶體(Dynamic Random Access Memory)與靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory)具有較快的讀與寫速度，但需要不斷的供電才能保持記憶，所以常拿來作為作業系統或者是其他在執行中程式的臨時資料做為存取。而具有非揮發性記憶體如快閃記憶體(Flash Memory)雖然速度不快，但儲存的資料不會因斷 電而造成資料流失，往後會有更大發展空間。 新型態記憶體可分為：相變化式記憶體(Phase-change Random Access Memory，PCRAM)、鐵電式記憶體(Ferroelectric Random Access Memory，FeRAM)、磁阻式記憶體(Magnetoresistive Random Access Memory，MRAM)與電阻式記憶體(Resistive Random Access Memory，RRAM)，其中電阻式記憶體具有結構簡單、寫入電壓與寫入能量低、消耗功率低，讀/寫速度快(約101~103 ns)，高操作週期(1013)及非揮發性等優點，因此這幾年來電阻式記憶體受到產業界的重視，將有可能成為這記憶體當中的主要硬體[1]。 II. 實驗步驟 本實驗使用射頻磁控濺鍍系統來沉積Nd2O3薄膜，濺鍍的靶材是Nd2O3粉末，將粉末以壓模機壓製出三吋Nd2O3粉靶，壓製壓力控制在750 Pa。基板則是採用ITO/Glass基板，而ITO/Glass基板潔淨度與薄膜品質是之清潔方面則使用丙酮、異丙醇和超音波震洗器，以確保ITO/Glass基板潔淨度，因為清潔度與成品品質是有很大的關係。接著以氮氣將基板吹乾，放入80 ℃烤盤烘烤1