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9第9章器件的驱动
电力电子器件器件的驱动;电力电子器件驱动电路概述;9.1.1 电力电子器件驱动电路概述;9.1.1 电力电子器件驱动电路概述;晶闸管的触发电路;晶闸管的触发电路;典型全控型器件的驱动电路;图9-7是一种典型的GTR基极驱动电路。图中VD2和VD3构成贝克钳位电路，可使GTR处于临界饱和导通。图中C2为开通加速电容。
电路分析：
A端高电平——光耦通电流——V2导通——V3截止——V4通——V5通，V6截止——通过C2，R5在GTR基极加入脉冲电流
A端低电平——光耦不通——V2截止——V3导通——V4，V5截止——V6导通——通过VD4，R5，GTR基极反向抽流，加速GTR截止
;典型全控型器件的驱动电路;典型全控型器件的驱动电路;电力电子器件器件的保护;过电压的产生分外因过电压和内因过电压两类:
1.外因过电压：a. 操作过电压
b．雷击过电压
2.内因过电压：a. 换相过电压
b. 关断过电压;过电压的产生及过电压保护;过电压和抑制措施及配置如图9-10所示。
过压抑制的种类：
a.R．C电路
b.压敏电阻
c.RDC电路
;过电流保护;一般电力电子装置均同时采用几种过电流保护措施：
a 电子电路过流保护电路，就近保护功率器件，如SCR，GTR，MOSFET
b 快速熔断器：电子保护不起作用时，由快速熔断完成
c 交流断路器，前两种保护不起作用，由交流熔断器完成切断电路。这种保护最彻底，但速度较慢。;缓冲电路又称吸收电路。其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt电压上升率、di/dt电流上升率，减小器件的开关损耗
缓冲电路可分为关断缓冲电路和开通缓冲电路。;A. 关断缓冲电路又称du/dt抑制电路，用于吸收器件的关断电压和换相过电压，抑制du/dt上升率，减小关断损耗，典型由RDC元件构成。
B. 开通缓冲电路又称为di/dt抑制电路，用于抑制器件开通时的电流过冲和di/dt，减小器件的开通损耗，典型由RDL器件构成。;关断时的负载曲线;9.2.3 缓冲电路;9.3 电力电子器件器件的串联和并联使用;9.3.1 晶闸管的串联;9.3.1 晶闸管的串联;9.3.2 晶闸管的并联;9.3.3电力MOSFET和IGBT并联运行的特点
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