Mg-Sn掺杂ZnO薄膜讲义.doc

第四章 溶胶凝胶法制备掺杂ZnO薄膜 ZnO薄膜作为透明导电薄膜（TCO），在可见光区域具有高透过性，通过对ZnO薄膜掺杂改性，能获得良好的导电性，解决了其本征缺陷导致的导电性差的问题。掺杂元素基本上是Ⅲ族元素、Ⅳ族元素和ⅣB族元素，单元素掺杂虽然均能提高薄膜的电学性能，但是相应的降低了光学性能。所以很多研究者尝试通过共掺杂ZnO，以此来达到一个相对优良的性能。park等[35]研究人员发现，Zn2+（0.074 nm）与Mg2+离子半径（0.072 nm）很相近，且MgO的禁带宽度是7.7 eV，用Mg掺杂ZnO薄膜，可以使得禁带宽度在3.2~7.8范围内变化，实现禁带宽度可调。本章除了介绍溶胶凝胶的实验过程外，重在探讨掺杂和厚度对ZnO薄膜光电性能的影响，Na掺杂一定量时，不同Mg掺杂量对其结构特性、光学性质的影响，以及不同镀膜层数对Mg-Sn共掺ZnO薄膜在光学和电学的影响来说明相对不同薄膜厚度对ZnO薄膜的性能影响。 4.1 溶胶凝胶实验工艺 如图4-1是本文溶胶凝胶法制备薄膜的工艺。表4-1是实验所用的试剂，表4-2是实验使用到的仪器。溶胶凝胶法最重要的一步是溶胶的配制，溶胶的好坏直接关系到后面薄膜的生长，溶胶太稀，镀膜时，容易被甩出去，太绸不利于薄膜均匀生长。本实验的的配制过程是：在有机溶剂C2H6O中加入规定量的前驱体二水醋酸锌，掺杂剂以及稳定剂，每瓶溶液浓度控制在0.75mol/L，总物质的量为0.045 mol，用磁力搅拌水浴锅60℃热搅拌2h，取出后室温静置7天，最后得到均匀无色透明溶胶凝胶溶液。 表4-1 实验用到的试剂 Table4-1 The experiment used reagents 试剂分子式含量用途无水乙醇C2H6O分析纯有机溶剂二水醋酸锌Zn(CH3COO)2·2H2O分析纯前驱体乙醇胺C2H7NO分析纯稳定剂氯化钠NaCl分析纯掺杂源六水氯化镁MgCl2·6H2O分析纯掺杂源五水氯化锡SnCl4·5H2O分析纯掺杂源表4-2 实验使用到的仪器设备 Table4-2 The instruments and equipment used in experiment 仪器名称用途KQ5200DE型数控超声清洗器清洗衬底DHG-9053型电热恒温鼓风干燥箱干燥锥形瓶等器皿电子天平称量前驱物及掺杂等物质JRA-6数显恒温磁力搅拌水浴锅加快溶解，形成溶胶KW-4A型台式匀胶机均匀涂膜JR系列数显恒温加热台预处理，使胶体干燥快速退火炉退火， 使薄膜结晶 图4-1 旋涂法制备薄膜的流程图 Table4-1 The flow chart of preparing thin films by spin-coating method 溶胶凝胶的镀膜方法基本上有两种：旋涂阀和提拉法。本文用到的是旋涂法。图4-2为KW-4A型台式匀胶机镀膜机实物图。镀膜的过程：把洗净干燥好的石英衬底(规格1cm×1cm)固定在旋涂仪上，打开抽气开关，使衬底被吸附住，用胶头滴管吸取溶胶，垂直滴于衬底中央，盖上，打开旋转开关，开始旋转。本文的旋涂转速均先以1000r/min匀胶12s，再以4000r/min匀胶30s，每镀一层，300℃下预处理15分钟， 图4-1 KW-4A型台式匀胶机镀膜设备 Figure 4-1 The equipment of the spin coater KW-4A 4.2 Na-Mg共掺对ZnO薄膜的影响 Na+、Mg2+掺杂比列分别为0at%:0at%、1at%:0at%、1at%:0.5at%、1at%:1at%、1at%:1.5at%的1#~5#样品。重复镀膜6次，在650℃空气中退火1.5小时，之后随炉冷却1.5小时，得到样品。 样品测试采用室温下X射线衍射仪(XRD)、紫外—可见分光光度计(Perkin Elmer Lambda 750)、日本JEOL公司的JSM—6700F型扫描电子显微镜(FESEM)对薄膜样品的微观结构、光学性能及表面形貌进行表征。 4.2.1 薄膜的结构分析 图4-1是未掺杂和不同Na-Mg掺杂比是时ZnO薄膜的XRD图谱 Fig. 4-1 X-ray diffraction Patterns of ZnO thin films with different Na-Mg contents 图4-1是1#~5#ZnO薄膜的XRD图谱。所有薄膜均表现为六方纤锌矿型ZnO晶体结构，且C轴择优取向，掺杂后并未观察到其他相的衍射峰。 由图大致可以看出不同掺杂比对(002)衍射峰的强度及位置