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CMOS集成电路制造工艺及版图;半导体集成电路制造工艺水平是决;CMOS集成电路的物理结构CM;7.1 集成电路工艺层NMOS;CMOS 工艺截面图;硅片内部的分层结构:主要特点:;叠放metal1层:;叠放metal2层:●侧视图显;7.2 互连线电阻和电容互连线;不同金属材料电阻率;无标题;无标题;无标题;连线的寄生电容(与衬底或连线之;无标题;多层电容模型;线间电容及其影响线间电容( 单;现代工艺中的互连线;互连线时间常数(电阻乘寄生电容;7.3 MOSFET半导体基础;形成 MOSFET的各工艺层F;MOSFET视图;掺杂小结:增加载流子,提高导电;掺入硼B、镓Ga、铟In、铝A;无标题;MOSFET中的电流n+、p+;形成反型层N沟道(NMOS):;线性工作区(三极管区、电阻区);饱和区Pinch-off;Current-Voltage;7.3 版图初识:FOX场氧区;源、漏极:n+、p+(有源区:;金属层之间以及金属层与晶体管之;互连线的版图例子M2与M1连接;3.5.1 FET阵列设??串联;3个串联FET版图设计;基本门设计N阱还需要接VDD衬;缓冲器BUF: Out=In;INV schematic (;INV layout结论:N个;你能看出逻辑关系吗?;答案:;What’s this? (照;CMOS工艺制造流程主要的单项;一、主要的单项工艺N阱CMOS;单晶硅生长示意图;单晶硅生长炉;预备工作:外延层淀积(p衬底);1、 SiO2生长与淀积 Si;(2)化学气相淀积CVD:适宜;Patterning of S;2、多晶硅淀积多晶硅淀积:栅层;3、掺杂硅层:n+、p+,离子;无标题;4、金属化: Al淀积 铝:粘;5、氮化硅SiN4淀积用于表面;6、化学机械抛光CMP;7、刻蚀先将掩模(mask)图;光刻;无标题;然后进行离子注入,形成n+ 、;二、N阱 CMOS制造流程[1;无标题;形成nFET 和pFET;Select掩模用于离子注入;[3]淀积金属层:连接;CMOS 制造简化流程Defi;五、Design RulesI;设计规则是版图设计中对层内和层;CMOS Process La;封装技术Electrical ;封装的概念 所谓封装形式就是;引线键合封装(wire-bon;倒装片封装(Flip-chip;与封装相关的重要参数;MCM(Multi-Chip ;本章要点CMOS集成电路是平面
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