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第七章 半导体存储器; 教学内容;7.1 概述;7.2 只读存储器（ROM);只读存储器分类：;7.2.1 掩模ROM
一、结构
;二、举例;两个概念：
存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0”
存储器的容量：“字线数 x 位线数”;地 址;掩模ROM的特点：
出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产
简单，便宜，非易失性;7.2.2 可编程ROM（PROM）;可编程ROM（PROM）;7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM）;14;15;二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM）
总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同
;;三、快闪存储器（Flash Memory）
为提高集成度，省去T2（选通管）
;;7.3 随机存储器（RAM);7.3.1 静态随机存储器（SRAM）
一、结构与工作原理
;9;二、SRAM的存储单元
;7.3.2* 动态随机存储器（DRAM）
动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理
;7.4 存???容量的扩展;7.4 存储器容量的扩展;7.4.2 字扩展方式;;;字、位同时扩展：; 教学要求 ;题[7-1] 若存储器容量为512KX8位，则地址代码应取几位？;题[7-4] 试用4片4k×8位的RAM芯片 组成16k×8位的RAM存储器。;7.5 用存储器实现组合逻辑函数;7.5 用存储器实现组合逻辑函数;地 址;二、举例;38
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