双极工艺论文选编.docVIP

双极工艺 目 录 TOC \o 1-3 \h \u  HYPERLINK \l _Toc13349 引言  PAGEREF _Toc13349 1  HYPERLINK \l _Toc10760 第一章  PAGEREF _Toc10760 2  HYPERLINK \l _Toc6201 1.1 双极工艺的介绍  PAGEREF _Toc6201 2  HYPERLINK \l _Toc23946 1.2 双极集成电路制造工艺  PAGEREF _Toc23946 2  HYPERLINK \l _Toc8091 第二章  PAGEREF _Toc8091 5  HYPERLINK \l _Toc7761 2.1 双极工艺制备  PAGEREF _Toc7761 5  HYPERLINK \l _Toc8864 2.2 NMOS晶体管制作流程图  PAGEREF _Toc8864 5  HYPERLINK \l _Toc26318 第三章  PAGEREF _Toc26318 8  HYPERLINK \l _Toc28581 3.1 互补双极工艺概论  PAGEREF _Toc28581 8  HYPERLINK \l _Toc15086 3.2 互补双极工艺的发展  PAGEREF _Toc15086 8  HYPERLINK \l _Toc13783 3.3 SOI全介质隔离互补双极工艺  PAGEREF _Toc13783 10  HYPERLINK \l _Toc17465 3.4 互补双极工艺技术的重大突破  PAGEREF _Toc17465 11  HYPERLINK \l _Toc7024 第四章  PAGEREF _Toc7024 13  HYPERLINK \l _Toc20393 4.1 BCD工艺概论  PAGEREF _Toc20393 13  HYPERLINK \l _Toc661 4.2 BCD工艺关键技术简介  PAGEREF _Toc661 14 4.2.1 BCD工艺的基本要求  PAGEREF _Toc661 14 4.2.2 BCD工艺兼容性考虑  PAGEREF _Toc661 14 4.2.3 DMOS器件的结构、工作原理与特点  PAGEREF _Toc661 14 4.3 BCD工艺发展趋势  PAGEREF _Toc17273 15  HYPERLINK \l _Toc17273  4.3.1 BCD工艺发展方向  PAGEREF _Toc17273 15  HYPERLINK \l _Toc23168 4.3.2 BCD工艺新兴技术发展趋势  PAGEREF _Toc23168 17  HYPERLINK \l _Toc5190 4.4 BCD工艺应用的国内外市场现状  PAGEREF _Toc23168 17 4.4.1 电源管理市场稳定增长?  PAGEREF _Toc5190 17 4.4.2 显示驱动市场需求强劲?  PAGEREF _Toc5190 17 4.4.3 BCD工艺是IC的上佳选择?  PAGEREF _Toc5190 17  HYPERLINK \l _Toc1688 总结  PAGEREF _Toc1688 19 参考文献 20  PAGE \* MERGEFORMAT 21 引言 20世纪40年代中期，由于通讯、导航、武器装备等的电子系统日益复杂，导致电子电路的微型化和集成化需求日益迫切。1959年美国仙童公司终于汇集了前人的技术成果，采用平面双极工艺集成技术制造出第一块实用硅集成电路，为集成电路的应用和发展开创了先河。但由于常规纯硅双极集成技术面临着器件注入效率不高，难以获得高增益，无法实现能带的自由剪截，速度或频率增加缓慢等，因此出现了以硅为基础的异质结构或赝异质结构，为提高硅双极器件的性能和实现新的功能提供了重要技术途径。 在双极工艺[1]发展过程中，在早期的标准双极（或常规双极）工艺集成技术的基础上陆续推出了多晶硅发射极双极、互补双极、SiGe双极、SOI全介质隔离双极等工艺，并广泛采用了薄层外延、深槽隔离、多晶硅自对准、多层金属互连等技术，使陆续推出的新工艺技术制造的器件性能不