单片机原理及应用_第八讲_MSP430单片机的比较器和Flash存储器实验报告.docx

单片机原理及应用 第八讲 MSP430单片机的 比较器和Flash存储器 实验报告 报告人： 实验内容 实验一 比较器输入电压的比较 端口P6.6设置成输入模式，获取电位器电压后与比较器中设置参考电压比较，比较器所得结果通过设置成输出模式的端口P4.1输出。 实验二 Flash读写操作 实验步骤 步骤： (1) 将PC 和板载仿真器通过USB 线相连； (2) 打开CCS 集成开发工具，选择样例工程或自己新建一个工程，修改代码； (3) 选择对该工程进行编译链接，生成.out 文件。然后选择，将程序下载到实验板中。程序下载完毕之后，可以选择全速运行程序，也可以选择单步调试程序，选择F3 查看具体函数。也可以程序下载之后，按下，软件界面恢复到原编辑程序的画面。再按下实验板的复位键，运 行程序。（调试方式下的全速运行和直接上电运行程序在时序有少许差别，建议 上电运行程序）。 关键代码： 实验一： #include msp430.h int main(void) { WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; // Stop WDT P4DIR |= BIT1; // P1.0/LED output direction // Setup ComparatorB CBCTL0 |= CBIPEN + CBIPSEL_6; // Enable V+, input channel CB6 CBCTL1 |= CBPWRMD_1; // normal power mode CBCTL2 |= CBRSEL; // VREF is applied to -terminal CBCTL2 |= CBRS_3+CBREFL_1; // R-ladder off; bandgap ref voltage (1.2V) // supplied ref amplifier to get Vcref=1.5V (CBREFL_2) CBCTL3 |= BIT6; // Input Buffer Disable @P6.6/CB6 __delay_cycles(75); // delay for the reference to settle CBINT = ~(CBIFG + CBIIFG); // Clear any errant interrupts CBINT |= CBIE; // Enable CompB Interrupt on rising edge of CBIFG (CBIES=0) CBCTL1 |= CBON; // Turn On ComparatorB __bis_SR_register(LPM4_bits+GIE); // Enter LPM4 with inetrrupts enabled __no_operation(); // For debug } // Comp_B ISR - LED Toggle #pragma vector=COMP_B_VECTOR __interrupt void Comp_B_ISR (void) { CBCTL1 ^= CBIES; // Toggles interrupt edge CBINT = ~CBIFG; // Clear Interrupt flag P4OUT ^= 0x02; // Toggle P1.0 } 实验二： #include msp430.h char value; // 8-bit value to write to seg C // Function prototypes void write_SegC(char value); void copy_C2D(void); int main(void) { WDTCTL = WDTPW+WDTHOLD; // Stop WDT value = 0; // initialize value while(1) { write_SegC(value++); // Write segment C, increment value __no_operation(); // Loop