四探针方法测电阻率(原理公式推导)教材.pptVIP

;〈一〉实验目的 〈二〉实验原理 〈三〉仪器结构特征 〈四〉操作步骤 〈五〉注意事项 〈六〉技术参数;一 实验目的;二 实验原理;材料电阻率;温度影响电阻率,从面影响电阻 p=p1(1+aT),p1为该材料0摄氏度时的电阻率, a叫电阻的温度系数,不同材料的电阻温度系数不同 由R=p*l/s p=p1(1+aT),得 R=R1(1+aT) 同理,R1为0摄氏度时的电阻 R=p*l/s(p—电阻率查表求；l—电阻长度；s—与电流垂直的电阻截面面;（a）块状和棒状样品体电阻率测量： 由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较，合乎于半无限大的边界条件，电阻率值可以直接由（１）、（２）式求出。;（b）簿片电阻率测量 簿片样品因为其厚度与探针间距比较，不能忽略，测量时要提供样品的厚度形状和测量位置的修正系数。;电阻率值可由下面公式得出：;2、带扩散层的方块电阻测量 当半导体薄层尺寸满足于半无限大时： 若取I ＝ 4.53 I0，I0为该电流量程满度值，则R0值可由数字表中直接读出的数乘上10后得到。;三 仪器结构特征;仪器电源经过DC-DC变换器，由恒流源电路产生一个高稳定恒定直流电流，其量程为10μA、100μA、1mA、10mA、100mA，数值连续可调，输送到１、４探针上，在样品上产生一个电位差，此直流电压信号由２、３探针输送到电气箱内。具有高灵敏度、高输入阻抗的直流放大器中将直流信号放大（放大量程有0.2mV、2mV、20mV 、200mV、2V），再经过双积分A/D变换将模拟量变换为数字量，经由计数器、单位、小数点自动转换电路显示出测量结果。;为克服测试时探针与样品接触时产生的接触电势和整流效应的影响。本仪器设立有“粗调”、“细调”调零电路能产生一个恒定的电势来补偿附加电势的影响。 仪器自较电路中备有精度为0.02％、阻值为19.96?的标准电阻,作为自校电路的基础，通过自校电路可以方便地对数字电压表精度和恒流源进行校准。; 在半导体材料断面测量时：直径范围Φ15~100mm，其高度为400mm，如果要对大于400mm长单晶的断面测量，可以将座体的V型槽有机玻璃板取下，座体设有一个腰形孔，用户可以根据需要增设支衬垫块使晶体长度向台下延伸，以满足测量长单晶需求，测试架有专门的屏蔽导线插头与电气箱联结。;四 实验步骤;3、极性开关置于上方，工作状态选择开关置于“短路”，拨动电流和电压量程开关，置于样品测量所合适的电流、电压量程范围。调节电压表的粗调细调调零，使显示为零。 4、将工作选择档置于“自校”，使电流显示出“１９９＊”，各量程数值误差为４字。 5、将工作选择档置于“调节”，电流调节在I＝6.28=C，C为探针几何修正系数。;显示板 2、单位显示灯 3、电流量程开关 4、工作选择开关（短路、测量、调节、自校选择）5、电压量程开关6、输入插座7、调零细调8、调零粗调9、电流调节10、电源开关11、电流选择开关 12、极性开关;测量电阻时，可以按表所示的电压电流量程进行选择。;6、工作状态选择开关置于“测量”，按下电流开关输出恒定电流，即可由数字显示板和单位显示灯直接读出测量值。再将极性开关拨至下方（负极性），按下电流开，读出测量值，将两次测量值取平均，即为样品在该处的电阻率值。关如果“±”极性发出闪烁信号，则测量数值已超过此电压量程，应将电压量程开关拨到更高档，读数后退出电流开关，数字显示恢复到零位。每次更换电压、电流量程均要重复3?5步骤。;五 注意事项; 2、 电阻（V/I）测量，用四端测量夹换下回探针测试架，按下图接好样品，选择合适的电压电流量程，电流值调到10.00数值，读出数值为实际测量的电阻值。;3、方块电阻测量，电流调节在4.53时，读出数值?10倍为实际的方块电阻值。 4、薄片电阻率测量：当薄片厚度0.5mm时，按公式（3）进行；当薄片厚度0.5mm时，按公式（4）进行。 5、仪器在中断测量时应将工作选择开关置于“短路”；电流开关置于弹出断开位置。;六 技术参数