微电子器件2-4教材.pptVIP

2.4 PN 结的击穿; 2.4.1 碰撞电离率和雪崩倍增因子 ;式中，A、B、m 为经验常数，可在表 2-1 中查到。; 2、雪崩倍增因子 定义：包括雪崩倍增作用在内的流出耗尽区的总电流与流入耗尽区的原始电流之比，称为 雪崩倍增因子，记为 M 。; 同理，由于电子的碰撞电离在 dx 距离内新增的流出 ( x+dx ) 面的空穴数目为; 为简便起见，假设 ，则流出 ( x+dx ) 面的总的新增空穴数目为;; 当 ，总电流就是原始电流，表示无雪崩倍增效应。; 实际计算击穿电压 VB 时，常采用如下近似方法。 由于 随 E 的变化很剧烈，所以对积分起主要作用的只是 电场峰值附近的很小一部分区域。这个区域内 几乎不变，因此可以近似认为，当 达到某 临界电场 EC 时，即可满足击穿条件 ，从而发生雪崩击穿。;对于突变结，; 也可通过查曲线求得突变结的击穿电压 VB 。;对于线性缓变结，; 或通过查曲线求得线性缓变结