模电(第2版)PPT孙肖子第4章.pptVIP

4.1　半导体物理基础 ;4.1.1　本征半导体 ;　　每个原子最外层轨道上的四个价电子为相邻原子核所共有，形成共价键。共价键中的价电子是不能导电的束缚电子。 ;　　价电子的反向递补运动等价为空穴在半导体中自由移动。因此，在本征激发的作用下，本征半导体中出现了带负电的自由电子和带正电的空穴，二者都可以参与导电，统称为载流子。 ;　　平衡状态时，载流子的浓度不再变化。分别用ni和pi表示自由电子和空穴的浓度 (cm-3) ，理论上 ;一、N 型半导体 　　在本征半导体中掺入五价原子，即构成 N 型半导体。N 型半导体中每掺杂一个杂质元素的原子，就提供一个自由电子，从而大量增加了自由电子的浓度一一施主电离 多数载流子一一自由电子 少数载流子一一空穴 但半导体仍保持电中性　　 ;二、P 型半导体 　　在本征半导体中掺入三价原子，即构成 P 型半导体。P 型半导体中每掺杂一个杂质元素的原子，就提供一个空穴，从而大量增加了空穴的浓度一一受主电离 多数载流子一一空穴 少数载流子一一自由电子 但半导体仍保持电中性;4.1.3　漂移电流和扩散电流 ;4.2　PN 结 ;　　空间电荷区又称为耗尽区或势垒区。在掺杂浓度不对称的 PN 结中，耗尽区在重掺杂一边延伸较小，而在轻掺杂一边延伸较大。;4.2.2　PN 结的单向导电特性 ;　　PN 结的单向导电特性：PN 结只需要较小的正向电压，就可以使耗尽区变得很薄，从而产生较大的正向电流，而且正向电流随正向电压的微小变化会发生明显改变。而在反偏时，少子只能提供很小的漂移电流，并且基本上不随反向电压而变化。;4.2.4　PN 结的电容特性 ;二、扩散电容 ;4.3　晶体二极管 ;二、二极管的管压降?;RD 和 rD 随工作点的位置变化而改变;4.3.3　二极管的近似伏安特性和简化电路模型 ;【例 4.3.1】电路如图 (a) 所示，计算二极管中的电流 ID 。已知二极管的导通电压UD(on) = 0.6 V，交流电阻 rD 近似为零。 ;工作电流IZ可以在IZmin到IZmax的较大范围内调节，两端的反向电压成为稳定电压UZ。IZ应大于IZmin以保证较好的稳压效果。同时，外电路必须对IZ进行限制，防止其太大使管耗过大，甚至烧坏PN结，如果稳压二极管的最大功耗为PM，则IZ应小于IZmax = PM / UZ。 ;21;［例4.3.2］稳压二极管电路如图所示，稳定电压 UZ = 6 V。当限流电阻 R = 200 ? 时，求工作电流 IZ 和输出电压 UO；当R = 11 k? 时，再求 IZ 和 UO 。 ;4.3.5　二极管应用电路举例 ;解：当ui 0.7 V时，D处于导通状态，等效成短路，所以输出电压uo = ui - 0.7；当ui 0.7 V时，D处于截止状态，等效成开路，所以uo = 0。于是可以根据ui的波形得到uo的波形，如图 (b) 所示，传输特性则如图 (c) 所示。电路实现的是半波整流，但是需要在ui的正半周波形中扣除UD(on) 得到输出。 ;［例4.3.4］分析图 (a) 所示的二极管桥式整流电路的工作原理，其中的二极管D1 ~ D4为理想二极管，输入电压ui的波形如图 (b) 所示。 ;解：当ui 0时，D1和D2上加的是正向电压，处于导通状态，而D3和D4上加的是反向电压，处于截止状态。输出电压uo的正极与ui的正极通过D1相连，它们的负极通过D2相连，所以uo = ui；当ui 0时，D1和D2上加的是反向电压，处于截止状态，而D3和D4上加的是正向电压，处于导通状态。uo的正极与ui的负极通过D4相连，D3则连接了uo的负极与ui的正极，所以uo = - ui。于是可以根据ui的波形得到uo的波形，如图 (b) 所示，传输特性则如图 (c) 所示。电路实现的是全波整流。 ;［例4.3.5］分析图示电路的输出电压uo的波形和传输特性。 ;解：当输入电压ui 0时，二极管D1截止，D2导通，电路等效为图 (b) 所示的反相比例放大器，uo = - (R2 / R1)ui；当ui 0时，D1导通，D2截止，等效电路如图 (c) 所示，此时uo = u- = u+ = 0。据此可以根据ui的波形画出uo的波形以及传输特性，如图 (d) 所示。 ;例4.3.5给出的是精密半波整流电路。为了实现精密全波整流，可以利用集成运放加法器，将半波整流的输出与原输入电压加权相加。如图所示，uo = - ui - 2uo1。当ui 0时，uo1 = - ui，uo = ui；当ui 0时，uo = - ui。 因此在任意时刻有uo = | ui |，所以该电路也称为绝对值电路。 ;二、限幅电路 ;解：D处于导通与截止之间的临界状态时，其支路两端电压为 E + UD(