清华大学数电门电路.pptVIP

VCC; 根据制造工艺不同可分为单极型和双极型两大类。;第二节 半导体二极管门电路;第三种;3.动态特性;;三、二极管或门;G; 显然，导电沟道的厚度与栅源电压大小有关。而沟道越厚，管子的导通电阻RON越小。因而，若 不变， 就可控制漏极电流iD。因此把MOS管称为电压控制器件。;1 2 3;;D;5.MOS管的四种类型;请参阅79页，表3.3.1;1961年美国德克萨斯仪器公司首先制成集成电路。英文Integrated Circuit,简称IC。;（一） CMOS反相器的电路结构; 特点：静态功耗近似为0；电源电压可在很宽的范围内选取。 ;1.电压传输特性;输入端噪声容限;2.电流传输特性;3.输入特性;4 .输出特性;(2) 输出高电平;（三）动态特性;2. 交流噪声容限;三、其他类型的CMOS门电路;3.带缓冲级的CMOS门电路; 普通CMOS门不能接成线与形式。;负载电阻RL的计算（见95页）;当 总线为低电平VOL时：;（三）CMOS传输???;VGS(th)P;将电压传输系数定义如下：;（四）三态输出的CMOS门电路;三态门在总线方面的应用;四、CMOS电路的正确使用;3.CMOS电路锁定效应的防护;五、CMOS数字电路的各种系列; tpd=3.8ns,负载能力为24mA（3V电源）左右。电源电压1.65~3.3V。可输入5V电平信号，也可将3.3V以下信号转换为5V输出信号;一、双极型三极管（BJT)的开关特性;;2.动态特性;3.三极管反相器（非门）;44;1.电路结构（以74系列非门为例）; =VIH:;1. 电压传输特性;2. 输入特性;3.输出特性;例3.5.2：计算G1能驱动的同类门的个数。设G1满足：VOH=3.2V, VOL=0.2V。;4.输入端负载特性;例：计算图中电阻RP取值范围。已知：VOH=3.4V,VOL=0.2V, VIH(min)=2.0V, VIL(max)=0.8V。;(三)TTL反相器的动态特性;3.电源动态尖峰电流;三.其他类型的TTL门电路(3.5.5节）;2.或非门;3.与或非门;4.异或门;使用时需外接电阻RL．;（三）三态输出门电路（TS）;四.TTL电路的改进系列;又称为肖特基系列。Schottky;有源泄放电路;（三）74LS系列;（四）74AS系列;多余输入端如何处理：;74H;+;P;70;回38页;72