part1半导体二极管—s.pptVIP

成绩评定方法 考试70％ 平时30％ 平时成绩＝到课＋课堂表现＋作业 到课：点名 缺课（事前请假）假条 迟到 课堂表现：回答问题＋纪律 作业：按时 效果 ;半导体的导电特性 ;　半导体概念;　　半导体器件具有体积小、重量轻、使用寿命长、耗电少等特点，是组成各种电子电路的核心器件，在当今的电子技术中占有主导地位。 ;光敏电阻是一种特殊的电阻，它的电阻和光线的强弱有直接关系 光强度增加，则电阻减小； 光强度减小，则电阻增大。 通常应用于光控电路，如路灯照明、警报器、楼梯灯;本征半导体(intrinsic semiconductor );硅和锗的共价键结构; 辐射方法 ; 几个概念;（1）漂移电流： 自由电子在电场作用下定向运动形成的电流称为漂移电流。 （2）空穴电流： 空穴在电场作用下定向运动形成的电流称为空穴电流。 电子电流与空穴电流的实际方向是相同的，总和即半导体中的电流。 （3）复 合： 自由电子在热运动过程中和空穴相遇，造成电子-空穴对消失，这一过程称为复合。 ;杂质半导体：掺杂后的半导体，包括N型半导体和P型半导体。;杂质半导体：掺杂后的半导体，包括N型半导体和P型半导体。;杂质半导体的记忆及示意表示法：;结论;小结;将一块半导体的一侧参杂成P型半导体，另一侧参杂成N型半导体，那么在中间交界处形成一个PN结。 1948年，威廉·萧克利的论文“半导体中的P-N结和P-N结型晶体管的理论”发表于贝尔实验室内部刊物。 根据PN结的材料、掺杂分布、 几何结构和偏置条件的不同，可以制造多种功能的晶体二极管。 整流二极管、检波二极管和开关二极管；稳压二极管和雪崩二极管；激光二极管与半导体发光二极管；光电探测器；太阳电池。双极型晶体管和场效应晶体管， 是现代电子技术的基础。 ;PN结的形成;;;扩散和漂移的动态平衡形成了PN结;几个重要概念： ① 扩散运动 —— 多子因浓度差而引起的运动称为扩散运动。 ② 漂移运动 ——空间电荷区在内部形成电场的作用下，少子会定向运动产生漂移。 ; ③ 空间电荷区 —— 在PN结的交界面附近，由于扩散运动使电子与空??复合，在P 区和N区分别出现了由不能移动的带电离子构成的区域，这就是空间电荷区，又称为阻挡层，耗尽层，垫垒区。 ④ 内部电场——由空间电荷区将形成由N区指向P区的电场E，这一内部电场的作用是阻挡多子的扩散，加速少子的漂移。 ;PN结的单向导电性－－PN结外加电压情形;若给PN结加反向电压 即外电源的正端接N区，负端接P区，则外电场与内电场方向一致，也破坏了扩散与漂移运动的平衡。 外电场驱使空间电荷区两侧的空穴和自由电子移走，使得空间电荷增加，空间电荷区变宽，内电场增强，使多数载流子的扩散运动难以进行。 但另一方面，内电场的增强也加强了少数裁流于的漂移运动，在外电场的作用下，N区中的空穴越过PN结进入P区， P区中的自由电子越过PN结进入N区，在电路中形成了反向电流。;由于少数载流子数量很少，因此反向电流不大，即PN结呈现的反向电阻很高。 又因为少数载流子是由于价电子获得热能(热激发)挣脱共价键的束缚而产生的，环境温度愈高，少数载流子的数目愈多。所以温度对反向电流的影响很大。;PN结的反向击穿问题; 当PN结两边的掺杂浓度很高，阻挡层又很薄时，阻挡层内载流子与原子碰撞的机会大为减少，因而发生雪崩击穿几率较小。;U; PN结具有电容效应，它由势垒电容和扩散电容两部分组成 ;扩散电容：正向偏置的PN结，由于多子扩散，会形成一种电容效应 ;势垒电容和扩散电容都是非线性电容,都随外加电压的变化而变化。 PN结上的总电容Cj为两者之和，即Cj=势垒电容+扩散电容 正偏时， Cj ≈扩散电容，其值通常为几十至几百pF 反偏时， Cj ≈势垒电容,其值通常为几至几十pF因为Cj并不大，所以在高频工作时，才考虑它们的影响。;半导体二极管;1. 二极管的基本结构和类型;二极管的伏安特性;正向导通区和反向截止区;二极管的主要参数;二极管的应用---整流作用;二极管的应用--限幅;I(mA);稳压二极管稳压电路 Ui为有波动的输入电压，并满足Ui UZ。R为限流电阻RL为负载。 ; 当PN结两端加的反向电压过高时，反向电流会继续急剧 增长，PN结上热量不断积累，引起结温升高，载流子增 多，反向电流一直增大下去，结温一再持续升高循环，超过其容许值时，PN结就会发生热击穿而永久损坏。 热击穿的过程是不可逆的，所以应尽量避免发生。;也称光敏二极管，光信号变成电信号， 核心部分也是一个PN结。PN结的结面积较小。;