基于ARM的单片机应用及实践课件-第七章选编.ppt

第七章 STM32 的 A/D 转换模块;7.1A/D 模块主要技术指标及选型;7.1A/D 模块主要技术指标及选型;不同类型的 ADC 转换器的结构、转换原理和性能指标方面的差异非常大。表 7.1 列出了常用类型的 ADC 的主要特点和应用范围。;A/D 转换器选型技巧及注意事项;2.与 ADC 配套使用其他芯片的选用依据 为了配合 ADC 的使用，一般在 ADC 的外围还需要添加一些其他芯片，常见的有多路模拟开关电路、采样/保持器和运算放大器等。;7.1A/D 模块主要技术指标及选型;4. 基准电压源的选择 基准电压源提供稳定的基准电压，要求什么样的基准电压源指标取决于具体应用。作为电路设计的一个关键因素，基准电压源的选择需要考虑多方面的问题并做出折。 两种常见的基准源是齐纳和带隙基准源。齐纳基准源通常采用两端并联拓扑；带隙基准源通常采用三端串联拓扑。 ;7.1A/D 模块主要技术指标及选型;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;这里使用的是软件触发（SWSTART），所以设置这3个位为111。ADC_CR2的SWSTART位用于开始规则通道的转换，每次转换（单次转换模式下）都需要向该位写1。AWDEN为用于使能温度传感器和Vrefint。STM32内部的温度传感器本书将在随后章节介绍。;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;对于每个要转换的通道，采样时间建议尽量长一点，以获得较高的准确度，但是这样会降低ADC的转换速率。ADC的转换时间可以由下式计算： Tcovn=采样时间+12.5个周期 其中：Tcovn为总转换时间，采样时间是根据每个通道的SMP位的设置来决定的。例如， 当ADCCLK=14Mhz的时候，并设置1.5个周期的采样时间，则得到:Tcovn=1.5+12.5=14个周期=1us。;第三个要介绍的是 ADC 规则序列寄存器（ADC_SQR1~3）,该寄存器总共有 3 个，这几个寄存器的功能都差不多，这里本书仅介绍一下 ADC_SQR1，该寄存器的各位描述如下：;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;这里本书要用到的是EOC位，本书通过判断该位来决定是否此次规则通道的AD转换已经完成，如果完成本书就从ADC_DR中读取转换结果，否则等待转换完成。;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.2 STM32A/D 转换模块;7.3STM32 内部温度传感器;7.3STM32 内部温度传感器;7.3STM32 内部温度传感器;STM32 的内部温度传感器固定的连接在 ADC 的通道 16 上，所以，我们在设置好 ADC 之后只要读取通道 16 的值，就是温度传感器返回来的电压值了。根据这个值，我们就可以计算出当前温度。计算公式如下： T（℃）={（V25-Vsense）/Avg_Slope }+25 该式中： V25=Vsense在25度时的数值（典型值为：1.43。 Avg_Slope=温度与Vsense曲线的平均斜率（单位为mv/℃或uv/℃）（典型值为4.3Mv/℃）。 利用以上公式，我们就可以方便的计算出当前温度传感器的温度了。 ;7.3STM32 内部温度传感器;7.3 STM32内部温度传感器;7.3 STM32 内部温度传感器;7.3 STM32 内部温度传感器;7.3STM32 内部温度传感器;打开MDK 开发坏境，建立工程，取名TEST_LED。 步骤一：初始化串口，使用函数为USART1_Config()。 步骤二：使能ADC1，并使ADC1 工作于DMA 方式，使用函数为static void ADC1_Mode_Config();该函数的实现如下：;7.3STM32 内部温度传感器;7.3STM32 内部温度???感器;7.3STM32 内部温度传感器;步骤三：main.c 中，在主函数中，根据ADC 得到的温度值ADC_ConvertedValue 计算当 前温度Current_Temp 并通过串口显示出来、添加如下程序