华中师范大学模电教学课件14.pptVIP

课 程 回 顾——三极管的电流分配关系及放大原理;课 程 回 顾——三极管的电流分配关系及放大原理;三. 三极管的特性曲线（共发射极接法）; 2.输出特性曲线 iC=f (uCE)? iB=const ; 输出特性曲线可以分为三个区域: ;判断一个三极管的工作状态的方法;例2:试分析图示电路中三极管的工作状态。已知 β=80，UBE=0.2V UCES=0.7V。;四. 三极管的主要参数; 2. 极间反向电流; 3.极限参数;（3）反向击穿电压;4. 结电容 发射结电容-----以扩散电容为主 集电结电容-----以势垒电容为主 ;五、温度对三极管特性的影响;半导体三极管的型号; 例：如图所示各晶体管处于放大工作状态，已知各电极直流电位。试确定晶体管的类型（NPN /PNP、硅/锗），并说明x、y、z 代表的电极。;;课 程 回 顾——三极管的特性;饱和区——iC受uCE显著控制的区域，该区域内uCE＜0.7 V。 此时发射结正偏，集电结也正偏。; 例：已知NPN型硅管T1~ T4 各电极的直流电位如表所示，试确定各晶体管的工作状态。;解： NPN管（1）放大状态：VBE Von, VCE VBE; （2）饱和状态： VBE Von, VCE VBE; （3）截止状态： VBE Von; 例：如图 所示电路中，晶体管为硅管，VCES=0.3V 。求：当VI=0V、VI=1V 和VI=2V时VO=?; 解：(1) VI=0V时， VBE Von，晶体管截止，IC=IB=0， VO= VCC=12V。;(3) VI=2V时：;小 结 双极性三极管的基本知识点有： 双极性晶体管的结构和类型：NPN、PNP 晶体管的电流放大作用和电流分配关系 晶体管具有放大作用的内部条件 晶体管具有放大作用的外部条件 IE=IB+IC=(1+?)IB， IC=?IB， 晶体管的特性及参数 VBE、Von 晶体管的三个工作状态 温度对晶体管参数的影响 ; 三极管是一种电流控制元件(iB~ iC)，工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，所以被称为双极型器件。;一、结型场效应管;2.结型场效应管工作原理;（2）当UDS 0时;由以上分析可以得到如下结论：;3.结型场效应管的特性曲线;击 穿 区;在饱和区内，iD 可以近似地表示为：;4. 结型场效应管的主要参数;（5）直流输入电阻RGS;二. 绝缘栅场效应三极管; 1.N沟道增强型MOS管 （1）结构 4个电极：漏极D，源极S，栅极G和 衬底B。 ; 当uGS＞0V时→纵向电场 →将靠近栅极下方的空穴向下排斥→耗尽层。; 定义： 开启电压（ UT）——刚刚产生沟道所需的 栅源电压UGS。; ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用;（3）特性曲线; ②转移特性曲线： iD=f(uGS)?uDS=const;2.N沟道耗尽型MOSFET;N沟道耗尽型MOSFET的特性曲线; 3、P沟道耗尽型MOSFET; 场效应管类型;本章小结