集成电路的基本制造工艺绪论.ppt

第1章 硅集成电路工艺; 1.1 硅衬底材料的制备; 随着超大规模集成电路的不断发展，不但要求单晶硅的尺寸不断增加，而且要求所有的杂质浓度能得到精密控制，而悬浮区熔法无法满足这些要求，因此，直拉法制备的单晶硅越来越多地被人们所采用。目前市场上的单晶硅绝大部分是采用直拉法制备得到的。; 矽/硅晶圓材料（Wafer）;生长硅单晶炉示意图; 把块状多晶硅放入坩埚内加热到 1440℃再次熔化。为了防止硅在高温下被氧化，坩埚内被抽成真空并注入惰性气体氩气。之后用纯度 99.7% 的钨丝悬挂“硅籽晶”探入熔融硅中，以 2~20转/分钟的转速及 3~10毫米/分钟的速率从熔液中将单晶硅棒缓慢拉出。这样就会得到一根纯度极高的单硅晶棒，理论上最大直径可达45厘米，最大长度为3米。; 1.2.1 集成电路加工过程简介 一、硅片制备（切、磨、抛） *圆片（Wafer）尺寸与衬底厚度： 3??— 0.4mm 5??— 0.625mm 4??— 0.525mm 6??— 0.75mm 硅片的大部分用于机械支撑。;Process Flow of Annealed Wafer;二、前部工序 ;晶圆处理制程 ;前部工序的主要工艺;集成电路工艺; 三、后部封装 （在另外厂房） （1）背面减薄 （2）划片、掰片 （3）粘