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计算机存储系统[课件]
第四章
存 储 系 统;计算机的存储系统;存储器的分类;存储器的主要性能指标;内存、外存;半导体存储器的分类;半
导
体
存
储
器
的
分
类;随
机
存
取
存
储
器
;静态存储器SRAM;SRAM芯片2114;5.1.2 半导体存储器芯片的结构;① 存储体;② 地址译码电路;③ 片选和读写控制逻辑;SRAM 2114的功能;SRAM 2114的读周期;SRAM 2114的写周期;SRAM芯片6264;SRAM 6264的功能;随
机
存
取
存
储
器
; DRAM特点:
DRAM是靠MOS电路中的栅极电容来存储信息的,由于电容上的电荷会逐渐泄漏,需要定时充电以维持存储内容不丢失(称为动态刷新),所以动态RAM需要设置刷新电路,相应外围电路就较为复杂。
刷新定时间隔一般为几微秒~几毫秒
DRAM的特点是集成度高(存储容量大,可达1Gbit/片以上),功耗低,但速度慢(10ns左右),需要刷新。
DRAM在微机中应用非常广泛,如微机中的内存条(主存)、显卡上的显示存储器几乎都是用DRAM制造的。;常见DRAM的种类:
SDRAM(Synchronous DRAM)——它在1个CPU时钟周期内可完成数据的访问和刷新,即可与CPU的时钟同步工作。SDRAM的工作频率目前最大可达150MHz,存取时间约为5~10ns,最大数据率为150MB/s,是当前微机中流行的标准内存类型。
RDRAM(Rambus DRAM)——是由Rambus公司所开发的高速DRAM。其最大数据率可达1.6GB/s。
DDR DRAM(Double Data Rate DRAM)——是对SDRAM的改进,它在时钟的上升沿和下降沿都可以传送数据,其数据率可达200-800 MB/s。主要应用在主板和高速显示卡上。
RAM的3个特性:
1)可读可写,非破坏性读出,写入时覆盖原内容。
2)随机存取,存取任一单元所需的时间相同。
3)易失性(或挥发性)。当断电后,存储器中的内容立即消失。;随
机
存
取
存
储
器
;DRAM芯片2164;DRAM 2164的读周期;DRAM 2164的写周期;DRAM 2164的刷新;只
读
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器
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;5.4.1 存储芯片与CPU的连接;CPU
与
存
储
器
的
连
接
;1. 存储芯片数据线的处理;位扩充;2. 存储芯片地址线的连接;片内译码;3. 存储芯片片选端的译码;地址扩充(字扩充);CPU
与
存
储
器
的
连
接
;线选译码;线选译码示例;部分译码;部分译码示例;全译码;全译码示例;存储芯片的读写控制;5.4.2 存储芯片与CPU的配合;1. 总线驱动;2. 时序配合;;课堂习题;课堂习题; 外存储器简介;磁记录原理;写入数据原理; 读出数据原理及过程;硬盘的工作原理 ;硬盘包括一到数片盘片platters,其一个或两个面surfaces涂有磁性材料用于记录数据。每面有一个读写头read-write head用于读写数据。盘片有一个共同的轴,典型的旋转速度是每分钟3600转,高性能的硬盘转速可能更高。磁头可沿着盘片的半径移动,磁头移动加上盘片旋转可以使词头存取磁盘表面的任何一个位置。 ;磁盘表面通常被分为同心圆环,叫磁道tracks,磁道又被分为扇区sectors。用这样分来将磁盘定位,用于为文件定位磁盘空间。要在硬盘上找到给定的位置,可能说3面5道7扇区。通常所有磁道有相同的扇区数,但也有硬盘在外圈磁道放较多的扇区(所有扇区用同样大小的物理空间,这样在较长的外圈磁道可以容纳更多的数据)。一般一个扇区容纳512字节数据。磁盘不能处理比一个扇区更小的数据量。每个面以相同的方式分为磁道和扇区。这意味着当一个磁头在某个磁道时,其他磁头也在相应的位置,所有相同位置的磁道组成柱面cylinder。磁头从一个磁道(柱面)移动到另一个需要花时间,所以将经常要在一起存取的数据(如一个文件)放在一个柱面里。这改善了性能。当然不可能完全作到,文件被放在几个相分离的位置叫碎片fragmented。 ;硬盘容量 = 柱面数ⅹ磁头数ⅹ扇区数ⅹ每扇区字节数 (每扇区512字节)
例如,柱面数为4096,磁头数为16,扇区数为63的硬盘容量为16×4096×63×512=2.1GB。
;磁盘的面(或头,实际是一样的)、柱面、扇区数各不相同,硬盘这些数目叫硬盘参数geometry。硬盘参数通常存在一个特定的、由电池供电的存储区中,叫CMOS RAM,操作系统在引导启动或驱动器初始化时可以从那里得到硬盘参数。
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