冷用斌(最终修改).-上海应用物理研究所.doc

 page 4 核 技 术 第30卷 第7期  ref 第一作者 \* MERGEFORMAT Error! Reference source not found.等：题目  page 3 第30卷 第7期 核 技 术 Vol. 30, No.7 2007年7月 Nuclear Techniques July 2007 —————————————— 国家大科学工程上海光源工程基金资助 第一作者：冷用斌，男，1972年出生，1999年毕业于中国科技大学获博士学位，研究员，研究方向为粒子加速器束流测控技术 收稿日期：2007-01-16，修回日期：2007-03-14 上海光源储存环直流流强监测系统设计 冷用斌 周伟民 陈永忠 赵国璧 余 俊 刘德康 （中国科学院上海应用物理研究所 上海 201800） 摘要 上海光源储存环调试运行需要一个分辨率达到微安量级的直流流强监测系统。为此设计完成的硬件系统包含一个Bergoz公司NPCT型探头、一个NI公司PXI总线数字电压表模块以及一个PXI总线的输入输出控制器。数据采??处理软件在LabVIEW平台上开发，与控制系统的接口通过EPICS Shared Memory IOCcore技术实现。实验室测试及仿真结果表明该系统直流流强测量分辨率可达2微安，束流寿命相对测量精度可望达到0.5%。关键词 上海光源，直流流强变压器，EPICS，束流寿命中图分类号 O572.21+3 作为第三代中能专用同步辐射装置，上海光源储存环需要一个高精度的电子束流直流流强监测系统，用以提供储存束流的流强数据并据此计算当前的束流寿命或是评估储存环注入速率。依据上海光源初步设计的要求，此直流流强监测系统的量程须大于400mA，分辨率须达到微安量级。同时，为便于机器的调试运行，流强以及束流寿命数据的刷新率不应低于1Hz，数据采集处理部分应与上海光源控制系统实现无缝连接[1]。 硬件设计 为缩短研发周期，确保系统性能，上海光源选择了采购成熟的商品化模块进行系统集成创新的技术路线。 系统结构 系统硬件结构如图1所示，在储存环隧道内的流强监测点处安装一个带直流隔离陶瓷环的探头组件，电子束穿过此探头组件时，其低频分量会被组件内的直流流强变压器探头(DC Current Transformer Sensor)检测到，检测到的束流信号由直流流强变压器前端电子学(DCCT Front-end Electronics)模块进行信号调理，送入数据采集设备(通常为数字电压表模块，Digital Voltage Meter)进行模数转换，量化后的数据在输入输出控制器(Input Output Controller)内完成后续处理和分析，计算得到当前流强值以及束流寿命，最终通过IOC的数据服务器实现与控制系统的无缝连接。 图1 系统硬件结构 Fig.1 Hardware configuration of DCCT system 电子学探头选型 直流流强变压器是在交流流强变压器（AC Current Transformer）的基础上，应用磁调制器技术和零磁通反馈控制技术将低端频响扩展到直流的[2]，目前在加速器束流诊断领域已经有较为成熟的商业化产品并获得了成功的应用[3]。根据上海光源对流强测量精度的要求以及储存环束流真空室的截面尺寸，直流流强监测系统选用了法国Bergoz Instrumentation公司第三代的NPCT175型探头，与上一代产品相比NPCT具有如下优点[4]： （1）耐辐照的探头与前端电子学彻底分离为两个独立模块，电子学设备可放置于隧道外； （2）更强的电磁兼容能力，对于加速器典型的电磁干扰频谱不敏感； （3）输出信号中不再包含调制信号频率分量；（4）内置100mA标定信号源； （5）标准化的19英寸机箱、3U板卡设计。 其基本技术指标如表1加中英文表标题，　表内补表头，并把表内文字改成中英文对照。 所示： 表1 NPCT175基本技术指标 Table 1 NPCT175 specification 量程 Full scale ranges±20mA ~ ±2A可遥控噪声频谱(RMS) Noise5μA/绝对测量精度 Absolute accuracy±0.1%电子学零点温漂系数 Electronics temperature coefficient 0.1μA/℃探头零点温漂系数 Sensor temperature coefficient5μA/℃-3dB带宽 -3dB bandwidthDC ~ 10kHz 探头工作在2A量程时采用Agilent 89610A矢量信号分析仪实测的NPCT175带宽