2010“半导体物理”期中试题解答.pptVIP

《半导体物理》 期中试题解答;一、填空题;7.电子在晶体中的共有化运动指的是电子在晶体各元胞对应点出现的几率相同 的几率相同。 8. 硅的晶体结构和能带结构分别是 金刚石 型和 间接带隙型。;二、选择题;下列哪个参数不能由霍尔效应实验确定 C 。 迁移率 载流子浓度 有效质量m* 半导体极性 重空穴指的是 D 。 质量较大的原子组成的半导体中的空穴 比电子质量大的空穴 价带顶附近曲率较大的等能面上的空穴 价带顶附近曲率较小的等能面上的空穴;半导体中载流子迁移率的大小主要决定于 B 。 复合机构 散射机构 能带结构 晶体结构 若某材料电阻率随温度升高而单调下降，该材料是 A 。 本征半导体 杂质半导体 金属 杂质化合物半导体;6．以长声学波为主要散射机构时，电子的迁移率μn 与温度的 B 。 A. 平方成正比 B. 3/2次方成反比 C. 平方成反比 D. 1/2次方成正比 7. 公式;8. 对于一定的n型半导体材料，温度一定时，减少掺杂浓度，将导致 D 靠近Ei； A、Ec; B、Ev; C、Eg; D、EF。 9. 当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的 C 倍； A、1; B、1/2;