第2章 半导体器件[名师原创].pptVIP

第1章 半导体器件;1.1 半导体器件的基本知识;1.1.1 本征半导体及其导电性; (1）本征半导体的共价键结构; （2）电子空穴对; 可见因热激发而出现的自由电子和空穴是同时成对出现的，称为电子空穴对。游离的部分自由电子也可能回到空穴中去，称为复合，如图01.02所示。; (3) 空穴的移动;1.1.2 杂质半导体; (1）N型半导体;(2) P型半导体;漂移运动：两种载流子（电子和空穴）在电场的作用下产生的运动。其运动产生的电流方向一致。 扩散运动：由于载流子浓度的差异，而形成浓度高的区域向浓度低的区域扩散，产生扩散运动。;二、杂质对半导体导电性的影响;1.1.4 PN结;一、 PN结的形成; 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。对于 P型半导体和N型 半导体结合面， 离子薄层形成的 空间电荷区称为 PN结。在空间电 荷区，由于缺少 多子，所以也称 耗尽层。 ;二、 PN结的单向导电性; (1) PN结加正向电压时的导电情况; (2) PN结加反向电压时的导电情况 ; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流；PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;三、PN结的电容效应; (1) 势垒电容CB; 当外加正向电压不同时，扩散电流即外电路电流的大小也就不同。所以PN结两侧堆积的多子的浓度梯度分布也不同，这就相当电容的充放电过程。势垒电容和扩散电容均是非线性电容。;雪崩击穿：当反向电压足够高时（U6V）PN结中内电场较强，使参加漂移的载流子加速，与中性原子相碰，使之价电子受激发产生新的电子空穴对，又被加速，而形成连锁反应，使载流子剧增，反向电流骤增。 齐纳击穿：对掺杂浓度高的半导体，PN结的耗尽层很薄，只要加入不大的反向电压（U4V），耗尽层可获得很大的场强，足以将价电子从共价键中拉出来，而获得更多的电子空穴对，使反向电流骤增。;1.2 半导体二极管;1.2.1 半导体二极管的结构类型; 图 01.11 二极管的结构示意图;1.2.2 半导体二极管的伏安特性曲线;图 01.12 二极管的伏安特性曲线;(1) 正向特性;(2) 反向特性; 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 ;1.2.3 半导体二极管的参数; (3) 反向电流IR;1.2.4 半导体二极管的等效模型;（3）折线模型：修正恒压降模型，认为二极管 的管压降不是恒定的，而随二极管的电流增加而 增加，模型中用一个电池和电阻 rD来作进一步 的近似，此电池的电压选定为二极管的门坎电压 Vth，约为0.5V，rD的值为200欧。由于二极管的 分散性，Vth、rD的值不是固定的。;1.2.5 半导体二极管的型号;半导体二极管图片;1.2.6 特殊二极管; 图 01.14 稳压二极管的伏安特性 ; 从稳压二极管的伏安特性曲线上可以确定稳压二极管的参数。; (3) 最大耗散功率 PZM ——;(5)稳定电压温度系数——?VZ; 稳压二极管在工作时应反接，并串入一只电阻。 电阻的作用一是起限流作用，以保护稳压管；其次是当输入电压或负载电流变化时，通过该电阻上电压降的变化，取出误差信号以调节稳压管的工作电流，从而起到稳压作用。; 半导体三极管有两大类型， 一是双极型半导体三极管 二是场效应半导体三极管;1.3.1.1 双极型半导体三极管的结构 1.3.1.2 双极型半导体三极管电流的分配 与控制 1.3.1.3 双极型半导体三极管的电流关系 1.3.1.4 双极型半导体三极管的特性曲线 1.3.1.5 半导体三极管的参数 1.3.1.6 半导体三极管的型号;; 双极型三极管的符号在图的下方给出，发射极的箭头代表发射极电流的实际方向。 从外表上看两个N区,(或两个P区)是对称的，实际上发射区的掺杂浓度大，集电区掺杂浓度低，且集电结面积大。基区要制造得很薄，其厚度一般在几个微米至几十个微米。;; 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。; 另外因集电结反偏，使