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加工硬化，又称为应变硬化，是由于位错增值所引起的，所以能够产生加工硬化的材料必须是位错能够滑移的塑性材料 ;图2.19 加工硬化产生原理 ; 通过使金属发生塑性变形的方式，可以使其屈服强度增高。这就是所谓的加工硬化。 ; 一般情况下，未经历冷加工的金属材料中的位错密度约为106cm/cm3。相对来说，这样的位错密度还是很小的。 ;Frank-Reed位错源 ; 利用加工硬化，可以在获得所需的金属材料的形状的同时，提高材料的强度。尤其是对于那些不能采用各种热处理强化方法的材料，如低碳钢、奥氏体不锈钢、有色金属等，加工硬化方法显得更加重要。 ; 通过冷加工处理，并不是所有的性能都可以得到改善，即虽然抗张强度、屈服强度和硬度有所增加，但是塑性和金属形变总的可能性却下降了。此外，物理性能如导电率、密度等也都有所下降。 ;图2.21 冷加工或??加锌对铜的电导率和屈服强度的影响 ; 陶瓷中也会有一些位错，所以也会出现很小程度的加工硬化。但是，陶瓷通常很脆，在低温时不可能发生明显的塑性变形，只有在高温下才会有塑性变形。; 有时需要消除冷加工所产生的加工硬化。在这种情况下，可以对材料进行退火。 退火后的材料既可以保持冷加工后所得到的精确尺寸和良好表面，又可以恢复材料的塑性。 退火后的材料可以继续进行冷加工。这样将冷加工与退火相结合，可以使材料的最终变形达到一个很大的值。 ;5.1概述;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*; 上面所讨论的都是不含杂质又无缺陷的纯金属理想晶体。实际上金属与合金中不但含有杂质和合金元素，而且还存在晶体缺陷。传导电子的散射发生在电子—声子、电子—杂质原子以及与其他晶体点阵静态缺陷碰撞的时候。在铁磁体和反铁磁体中还要发生磁振子的附加碰撞。; 理想金属的电阻对应着两种散射机制(声子散射和电子散射)，可以看成为基本电阻。这个电阻在绝对零度时降为零。; 马基申(Mathhissen)和沃格特(Vogt)早期根据对金属固溶体中溶质原子的浓度较小，以致可以略去它们之间的相互影响，把固溶体的电阻看成由金属的基本电阻 和残余电阻 组成。这实际上表明，在一级近似下不同散射机制对电阻的贡献可以加法求和。这—导电规律称为马基申定则。; 为决定于化学缺陷和物理缺陷而与温度无关的残余电阻。化学缺陷为偶然存在的杂质原子以及人工加人的合金元素原子。物理缺陷系空位、间隙原子、位错以及它们的复合体。; 从马基申定则可以看出，在高温时金属的电阻基本上决定于 ，而在低温时则决定于残余电阻 ，既然残余电阻是电子在杂质和缺陷上的散射引起的，那末 的大小可以用来评定金属的电学纯度。与化学纯度不同，电学纯度考虑了点阵物理缺陷的影响。考虑到残余电阻测量上的麻烦，实际上往往采用相对电阻 的大小评定金属的电学纯度。许多完整的金属单晶得到的相对电阻高达2xl04。;在超低温下电子平均自由程长度 同样可以作为金属纯度直观的物理特性。晶体越纯、越完善，自由程长度越长、相对电阻值也越大。反之，金属中杂质越多，在连续散射之间电于自由程长度越短，相对电阻也越小。目前可以得到很纯的金属，在它们当中4.2K时的电子平均自由程长度可达几个mm。例如，相对电阻为7000，000的超纯钨，其电子自由程长达12.5mm.;5.4.1 半导体与p-n结; 元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。 化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。 二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、Ⅳ-Ⅵ族（如硫化铅、硒化铅等）、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。 三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。 有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等，还处于研究阶段。;5.4.1.4 元素半导体与化合物半导体 ;5.4.1.5 n型半导体和p型半导体 ; 如果在硅或锗中添加锑或磷的5价元素，那么锑或磷中的4个价电子参与共价键的结合，富余的那个价电子由于与本身原子的结合较松，很容易激发到导带，因此这种杂质增加了导带中的电子数，从而增加其导电性能。这种提供电子作为载流子的杂质元素称为施主。掺入了施主杂质的非本征半导体以负电荷（电子）作为载流子，所以称为n