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第 卷第 期 半 导 体 学 报
22 7 Vol. 22 No. 7
年 月
2001 7 CHINESE JOURNAL OF SEMICON UCTORS July 2001
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智能剥离 高温压力传感器
SOI
黄宜平 竺士炀 李爱珍 鲍敏杭 沈绍群 王 瑾 吴东平
复旦大学电子工程系 上海
( 200433D
摘要 采用改进的 清洗工艺提高了硅片的低温键合质量 提出了一种积聚式缓慢退火剥离方法用于制备智
: RCA
能剥离 材料 并用该材料成功地研制了双岛 梁 膜结构的 高温压力传感器 对
SOI ( Silicon On InSulatorD - - SOI . SOI
压力传感器的测量结果表明 当温度增加到 左右时 输出电压没有明显的变化 其工作温度高于一般的体硅
150C
压 力传感器 其工作温度一般在 以下 测得所制备 压力传感器的灵敏度为 比用
( 120C D . SOI 63mV/ ( MPa- 5VD
相同版图设计和工艺参数制备的多晶硅压力传感器高约 倍多
7 .
关键词 压力传感器 低温键合 智能剥离 高温
: SOI; ; ; ;
PACC: 0630N; 6855; 7280; 6170T
中图分类号 文献标识码 文章编号
: TP212. 1 : A : 0253-4177( 2001D 07-0924-05
的退火工艺 对 剥 离 形 成 的 材 料 上 层 硅 膜 质 量
SOI
引言 的影响 采用改进键合前的硅片清洗工艺提高了键
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