新型光电二极管PPT.pptVIP

光电二极管;以光导模式工作的结型光伏探测器称为光电二极管;制造一般光电二极管的材料几乎全部选用硅或锗的单晶材料。 由于硅器件较之锗器件暗电流温度系数小得多 制作硅器件采用平面工艺使其管芯很容易精确控制;硅光电二极管的两种典型结构，其中(a)是采用N型单晶硅和扩散工艺，称为p＋n结构。它的型号是2CU型。而(b)是采用P型单晶和磷扩散工艺，称n＋p结构。它的型号为2DU型。;p+n结构硅光电二极管(2CU);硅光电二极管的封装;光敏二极管 ; 光敏二极管的反向偏置接线及光照特性示意图;光敏二极管外形 ;硅光电二极管的特性;（1）光谱响应特性;（2）伏安特性;光电二极管在较小负载电阻下，入射光功率与光电流之间呈现较好的线性关系。图示出了在一定的负偏压下，光电二极管光电流输出特性。;（3）频率响应特性 ;某些光敏二极管的特性参数; 由于PN结耗尽层只有???微米，大部分入射光被中性区吸收， 因而光电转换效率低，响应速度慢。为改善器件的特性，在PN结中间设置一层本征半导体(称为I)，这种结构便是常用的PIN光电二极管。;PIN管结构示意图;I层很厚，吸收系数很小，入射光很容易进入材料内部被充分吸收而产生大量电子 - 空穴对，因而大幅度提高了光电转换效率，从而使灵敏度得以提高。两侧P层和N层很薄，吸收入射光的比例很小，I层几乎占据整个耗尽层， 因而光生电流中漂移分量占支配地位，从而大大提高了响应速度。;I层所起的作用: 本征层的引入，明显增大了p+区的耗尽层的厚度，这有利于缩短载流子的扩散过程。耗尽层的加宽，也可以明显减少结电容Cj,从尔使电路常数减小。同时耗尽加宽还有利于对长波区的吸收。; 频带宽（可达10GHz） 灵敏度高 线性输出范围宽 噪声低;PIN硅光电二极管特点： 频带宽，可达10GHz。另一个特点是线性输出范围宽。由耗尽层宽度与外加电压的关系可知，增加反向偏压会使耗尽层宽度增加，从而结电容要进一步减小，使频带宽度变宽。 不足：I层电阻很大，管子的输出电流小，一般多为零点几微安至数微安。;PIN光电二极管性能;3、雪崩光电二极管（APD） PIN型光电二极管提高了PN结光电二极管的时间响应，但对器件的灵敏度没有多少改善。为了提高光电二极管的灵敏度，人们设计了雪崩光电二极管，使光电二极管的光电灵敏度提高到需要的程度。;雪崩光电二极管是利用PN结在高反向电压下产生的雪崩效应来工作的一种二极管。 雪崩光电二极管是具有内增益的一种光伏器件。它利用光生载流子在强电场内的定向运动产生雪崩效应，以获得光电流的增益。在雪崩过程中，光生载流子在强电场的作用下高速定向运动，具有很高动能的光生电子或空穴与晶格原子碰撞，使晶格原子电离产生二次电子－空穴对；二次电子和空穴对在电场的作用下获得足够的动能，又使晶格原子电离产生新的电子－空穴对，此过程像“雪崩”似地继续下去。电离产生的载流子数远大于光激发产生的光生载流子数，这时雪崩光电二极管的输出电流迅速增加。 ;APD载流子雪崩式倍增示意图;雪崩光电二极管输出电流I和反偏压U的关系示于图。 随着反向偏压的增加，开始光电流基本保持不变。当反向偏压增加到一定数值时，光电流急剧增加，最后器件被击穿，这个电压称为击穿电压UB。;雪崩光电二极管的电流增益用倍增系数或雪崩增益M表示，它定义为:;雪崩光电二极管具有电流增益大，灵敏度高，频率响应快，带宽可达100GHz。是目前响应最快的一种光敏二极管。它在微弱辐射信号的探测方向被广泛地应用。 在设计雪崩光敏二极管时，要保证载流子在整个光敏区的均匀倍增，这就需要选择无缺陷的材料，必须保持更高的工艺和保证结面的平整。 其缺点是工艺要求高，受温度影响大。;APD光电二极管性能