新型半导体物理 第八章4.pptVIP

§8．5 异质结中的电流; 目前总的说来，对异质结电流的认识仍然比较少，往往难于对实验得到的伏安特性作出满意的说明。但看来并不象同质pn结和肖特基势垒那样，对于异质结不存在一种在多数情形下占主导地位的电流机制。 这一节先介绍扩散-发射电流为主的情形，然后说明复合机制和隧穿机制的作用．讨论只限于异质pn结． ; 在异质结中，在势垒区，导带或价带可能包含有尖峰．以图8. 26(a)的异质结为例，在正向偏压下，n区导带电子向p区的运动既包含有扩散，又包含有通过尖峰的发射．; 下面我们来导出包括考虑尖峰发射在内的电子电流．为了清楚起见，我们把正向偏压下的导带略加放大，画在图8．27中。; 为了能在尖峰处产生净发射电流，界面两边必定存在一定的费米能级差?EF，以使由n区向p区的发射超过由p区向n区的发射。由外加偏压V引起的费米能级差eV的其余部分降落在p区，用以驱动载流子向p区扩散(在两极管理论适用的条件下，可以认为电子费米能级水平通过n区)．这两部分费米能级降落的相对大小显然由电流连续来调节。 ; 先考虑越过尖峰的发射电流．尖峰处由n区向p区发射电流可写作 式中vr为描述电子发射的等效速度，它具有电子热运动速度的数量级．e(VDn?Vn)代表偏压下的尖峰高度． ; 由于在界面处费米能级降落了?EF， 比