新型扩散2.ppt

材料物理化学固体中的扩散;1.空位扩散系数和间隙扩散系数 ;*;*;空位形成能;*;*;*;空位机制、间隙机制D0表达方式;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;【试想】lnDM-PO2; lnDM-1/T图有何特点？ 显然，若T不变，1nDM对lnPO2作图 直线斜率为1／6 若氧分压PO2不变，lnD~1／T图直线斜率负值为(ΔHM+ΔH0/3)／R;*;*;*;金属离子空位型;【思考】为什么还原气氛或惰性气氛更有利于氧化钛、氧化铝等氧化物陶瓷的烧结！;*;*;【例】已知MgO多晶材料中Mg2＋本征扩散系数和非本征扩散系数分别为： 1)分别求25℃及1000℃时Mg2＋的Din和Dex 2)求Mg2＋lnD－1/T图中，由非本征扩散转变为本征扩散的转折点温度 3)求MgO晶体的肖特基缺陷形成能，欲使Mg2＋在MgO中的扩散至熔点2800 ℃仍为非本征扩散，掺杂三价离子浓度应为多少？ ;1)分别求25℃及1000℃时Mg2＋的Din和Dex 【解】;2)求Mg2＋lnD－1/T图中，由非本征扩散转变为本征扩散的转折点温度 【解】转折点温度即Din＝Dex时温度！ 得：T=2800K (计算假设MgO为纯净晶体） ;3)求MgO晶体的肖特基缺陷形成能 【解】由题知本征/非本征缺陷扩散活化能分别为：Q1＝486kJ/mol；Q2＝254.50kJ/mol； 由扩散活化能含义： 则： 其中：Hf为肖特基缺陷形成能 Hm为迁移能 ;3)欲使Mg2＋在MgO中的扩散至熔点2800 ℃仍为非本征扩散，掺杂三价离子浓度应为多少？ 【解】 Mg2＋在MgO中的扩散，若掺杂M3＋： 空位 [ VMg2＋]总＝ [ VMg2＋]杂＋ [ VMg2＋]肖 ;可见，要使MgO晶体中到3073K仍以非本征扩散为主 临界情况： [VMg2+]杂= [VMg2+]肖 [M3+]＝2[VMg2+]杂 可见：MgO晶体中混入万分之一杂质，在熔点处仍为非本征扩散，故MgO、CaO、Al2O3等高熔点氧化物不易观测到本征扩散 ;*;内因 1. 晶体结构 质点排列、堆积方式决定质点迁移方向、自由程、跃迁概率等因素 导致D0不同 EX. 体心立方 VS 面心立方 迁移方向及位置数：8 VS 12 迁移自由行程： 结构越致密，扩散活化能Q越大 910℃ D（体心）比D（面心）大两个数量级 结构不同，扩散机构不同，如CaF0结构;*;【思考】1）一般共价晶体一般具有较为开放的结构，其扩散机制以空位or间隙为主？2）Ag和Ge熔点相近，扩散能力是否相似？ 1）以空位???主，金属、离子晶体材料中的开放结构，间隙机构占优势；但共价晶体结构虽较开放，但由于成键方向性＋饱和性，间隙扩散不利于能量降低；且自扩散活化能高于相近熔点的金属 2）Ag金属键、Ge共价键，虽反应原子键力的熔点相近，但键性不同：;【思考】为何陶瓷中因平衡空位产生的本征扩散往往不易观察到？ 陶瓷离子键、共价键结合，结合能往往高于金属，表现为高熔点 主要扩散机制空位机制，D取决与空位形成及迁移 结合能越大，空位迁移势垒越大 结合能越大，空位形成能越高，平衡空位浓度越低;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;*;3、气氛的影响 主要影响扩散机制 气氛造成非化学计量缺陷 阳离子空位 阴离子空位;*