CM0S集成电路设计基础1.pptVIP

CMOS集成电路设计基础－MOS器件;MOS器件;制作在P型衬底上(P-Substrate, 也称bulk或body, 为了区别于源极S， 衬底以B来表示)， 两个重掺杂N区形成源区和漏区， 重掺杂多晶硅区(Poly)作为栅极， 一层薄SiO2绝缘层作为栅极与衬底的隔离。 NMOS管的有效作用就发生在栅氧下的衬底表面——导电沟道(Channel)上。 由于源漏结的横向扩散， 栅源和栅漏有一重叠长度为LD， 所以导电沟道有效长度(Leff)将小于版图中所画的导电沟道总长度。 我们将用L表示导电沟道有效总长度Leff， W表示沟道宽度。 宽长比(W/L)和氧化层厚度tox这两个参数对MOS管的性能非常重要。 而MOS技术发展中的主要推动力就是在保证电性能参数不下降的前提下， 一代一代地缩小沟道长度L和氧化层厚度tox。;为了使MOS管的电流只在导电沟道中沿表面流动而不产生垂直于衬底的额外电流， 源区、 漏区以及沟道和衬底间必须形成反偏的PN结隔离， 因此， NMOS管的衬底B必须接到系统的最低电位点(例如“地”)， 而PMOS管的衬底B必须要接到系统的最高电位点(例如正电源UDD)。 衬底的连接如图 (a)、 (b)所示。;N阱及PMOS;MOS管常用符号;MOS管的电流电压特性;UTHN与材料、 掺杂浓度、 栅氧化层电容等诸多因素有关。 在器件制造过程中， 还可以通过向沟道区