材料分析测试方法_13_2[AES].pptVIP

§13-2 俄歇电子能谱原理及应用;AES特点： 高的横向分辨率 高灵敏度 无标样半定量 可在某些条件下给出化学键信息;二、AES基本原理;俄歇效应（电子）的表示：;俄歇电子的动能与入射粒子的类型和能量无关，只是发射原子的特征，可由俄歇跃迁前后原子系统的能量差来计算。 经验公式： ;例：计算Ni的KL1L2俄歇电子能量;原子所处的化学环境的变化会改变其电子轨道，影响到原子势及内层电子的束缚能，从而改变俄歇跃迁的能量，引起俄歇谱峰的位移——称为化学位移。 例如，当元素形成化合物时将改变元素的俄歇电子能量。 化学位移可达几个eV。;俄歇电子的产额相当于俄歇跃迁的几率，与俄歇谱峰的强度相对应，是元素定量分析的依据。 ;在低原子序数元素中，俄歇过程占主导，而且变化不大。 对于高原子序数元素，X射线发射则成为优先过程。 ;定义： 具有确定能量Ec的电子能够通过而不损失能量的最大距离。 电子逃逸深度=电子非弹性散射的平均自由程。 ;逃逸深度λ取决于俄歇电子能量，近似与元素种类无关; 能量为20~2500eV的俄歇电子，逃逸深度为2~10个单原子层。 →AES用于表面0.5~3nm深度内的成分分析 ;直接谱 不同能量的俄歇电子数N(E)随电子能量E的分布曲线。 N(E) — E 曲线 微分谱 二次电子形成谱线的背底。为提高灵敏度，使用微分型能量分布曲线。 dN(E)/dE — E 曲线 ;三、AES装置和实验方法;电子能量分析器： ;→所探测的电子动能与施加在外筒上的偏压成正比。;2.AES测量;能量分析器测出的AES谱实际上是包括俄歇电子在内的二次电子谱。AES峰是信号，二次电子形成背底或干扰。 提高峰背比的方法： 扣除本底→困难、效果差 微分法→简单、有效;直接谱与微分谱：;微分谱的利用：;微分谱特点：;3.AES定性分析;入射电子能量为3keV时Si的标准俄歇微分谱;入射电子能量为3keV时SiO2中的Si的标准俄歇微分谱;AES定性分析一般步骤：;主要俄歇电子能量图;4.AES定量分析;定量分析——纯元素标样法;定量分析——相对灵敏度因子法;定量分析——举例;表面元素含量计算：;5.化学态判断;Al2O3与Al的AES谱;不同化学态的碳的KVV俄歇峰;6.结果形式;7.AES的局限性;四、AES特点及应用;2Cr13晶界成分分析;;三种表面探针方法总结