第一章半导体器件基础第一讲.pptVIP

模拟电子技术; 课件Email： dianlukejian@126.com 密码： 888888 答疑时间： 待定 成绩构成： 70%卷面成绩+ 30%平时成绩;绪 论;先修课程：电路理论;主要教学内容;电子技术的应用信 号 检 测;传感器;电子秤原理图; 汽车电子;智能小区;第一章 半导体器件基础; 半导体器件是近代电子学的重要组成部分。 体积小、重量轻、使用寿命长、输入功率小、功率转换效率高等优点而得到广泛的应用。 ;世界上第一台计算机;1.1 半导体基本知识;硅原子;1.1.2 本征半导体;这一现象称为本征激发， 也称热激发。; 可见本征激发同时产生电子空穴对。 外加能量越高（温度越高），产生的电子空穴对越多。;自由电子 带负电荷 电子流;在常温下(T=300K )，;本征半导体存在数量相等的两种载流子： 自由电子和空穴。电子与空穴电荷量相等， 极性相反。;1.1.3 杂质半导体;1. N型半导体;N型半导体;N型半导体; 在本征半导体中掺入三价杂质元素，例如硼、镓等，称为P型半导体。;空穴;P型半导体;杂质半导体的示意图;?因多子浓度差;少子飘移;1.2.2 PN结的单向导电性;2. PN结加反向电压（反偏）——电源正极接N区，负极接P区 ; PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;3. PN结的伏安特性曲线及表达式;4、PN结的反向击穿; 根据理论分析：; PN结具有一定的电容效应，它由两方面因素决定。 一是势垒电容CB 二是扩散电容CD; 势垒电容是由空间电荷区的离子薄层形成的。当外加电压发生变化时，离子薄层的宽度要相应地随之改变，即PN结中存储的电荷量要随之变化，就像电容充放电一样。;2 扩散电容CD;小 结 本讲主要介绍了以下基本内容： PN结形成：扩散、复合、空间电荷区（耗尽层、势垒区、阻挡层、内建电场）、动态平衡 PN结的单向导电性：正偏导通、反偏截止 PN结的特性曲线： 正向特性：死区电压、导通电压 反向特性：反向饱和电流、温度影响大 击穿特性：电???穿（雪崩击穿、齐纳击穿）、热击穿 PN结的电容效应：势垒电容、扩散电容;2. 多数载流子和少数载流子哪个受温度影响？;5. 当温度升高时，PN结的反向饱和电流将增加还是减小？ ;1.2.4 半导体二极管及其参数;;(1) 点接触型二极管;N;二、半导体二极管的伏安特性;(1) 正向特性; 在反向区，硅二极管和锗二极管的特性有所不同。 硅二极管的反向击穿特性比较硬、比较陡，反向饱和电流也很小；锗二极管的反向击穿特性比较软，过渡比较圆滑，反向饱和电流较大。 ;3. 半导体二极管的主要参数;（2）交流电阻r d ：指二极管在其工作点Q（UDQ,IDQ)处的电压微变量与电流微变量之比。; (3) 最大整流电流IFM—; (5) 反向电流IS——;1.2.5 二极管的电路模型 ;2.定压降模型;3.分段线性模型;二极管的应用举例;(1) UA=0 V UB=0 V;(3) UA=0V UB=3V;如何判断二极管是否导通： 判断二极管工作状态时，可 先将二极管断开，然后比较 两极电位。如果处于正偏， 则二极管导通；否则截止。 电位差大的优先导通。 ;例2：写出图示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD=0.7V。;例3 ui = 2 sin ?t (V)，画出输出电压uo的波形 。;O;ui =5sin ?t (V)，画出输出电压uo的波形 。 二极管是理想的。;估算图示电路中流过二极管的电流ID和U， 二极管是理想的。;1.3 特殊二极管; 稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊二极管;稳压原理：;使用稳压管注意事项：在工作时反接， 并串入一只电阻。电阻的作用一是起限 流作用，保护稳压管；其次是当输入电 压或负载电流变化时，通过该电阻上电 压降的变化，取出误差信号以调节稳压 管的工作电流，从而起到稳压作用。;限流电阻R的选择;1. 稳压管的稳压区是其工作在（ ）。 A.正向导通区 B. 反向截止区 C. 反向击穿区;1.3.2 变容二极管;1.3.3 发光二极管;;1.3.4 光电二极管;;半导体二极管;作业： 题1.4、1.6、1.8、1.9(b)、1.10(a)