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模拟电子技术基础习题;第一章 半导体二极管及其应用电路 一、填空： 1．半导体是导电能力介于_______和_______之间的物 质。 2．利用半导体的_______特性，制成杂质半导体；利用半导体的_______特性,制成光敏电阻，利用半导体的_______特性,制成热敏电阻。 3．PN结加正向电压时_______，加反向电压时 _______，这种特性称为PN结的 _______ 特性。 4．PN结正向偏置时P区的电位_______N区的电位。 ;5．二极管正向导通的最小电压称为______电压，使二极管反向电流急剧增大所对应的电压称为_______电压. 6．二极管最主要的特性是 ，使用时应考虑的两个主要参数是 和 _。 7．在常温下，硅二极管的死区电压约_______V，导通后在较大电流下的正向压降约_______V 。 ;;11．理想二极管正向电阻为________，反向电阻为 _______，这两种状态相当于一个_______。 12．当温度升高时，二极管的正向特性曲线将 ________，反向特性曲线将_______。 13．当温度升高时，二极管的正向电压降_______，反 向击穿电压________，反向电流________。 ; 14.整流电路的作用是 ______ __， 核心元器件是_______。 15.滤波电路的作用是_ ______ _， 滤波电路包含有_______元件。 16.单相半波整流，单相桥式整流相比，脉动比较大 的是_______，整流效果好的是_______。 17.在单相桥式整流电路中，如果任意一个二极管反 接，则________，如果任意一只二极管脱焊，则 _______。 ;二、选择题： 1.二极管的导通条件是( )。 A. B. 死区电压 C. 击穿电压。 2.硅二极管的正向电压在0.7V的基础上增加10％，它的电流( )。 A.基本不变 B.增加10％ C.增加10％以上 3.硅二极管的正向电压在0.3V的基础上增大10％，它的电流( )。 A.基本不变 B.增加10％ C.增加10％以上 4.用万用表的 档和 档分别测量一个 正常二极管的正向电阻，两次测量值分别为 和 ， 则 与 的关系为( )。 A. B. C.;5.当温度为 时，二极管的导通电压为0.7V ， 若其他参数不变，当温度升高到 时，二极管的 导通电压将( )。 A.等于0.7V B.小于 0.7V C.大于0.7V 6.如图所示，二极管均为理想元件，则VD1、VD2、 VD3的工作状态为( )。 A. VD1导通， VD2 、 VD3截止 B. VD2导通， VD1 、 VD3截止 C. VD3导通， VD1 、 VD2截止 ;8.电路如图所示,VD1～VD3为理想二极管,A、B、C白炽 灯泡额定功率相同，其中最亮的灯是_______。 A. B B. C C. A ;9．理想二极管桥式整流和电阻性负载电路中，二极管承 受的最大反向电压为_______。 A．小于 B.等于 C.大于 ，小于 D.等于 10．单相桥式整流电容滤波电路，当满足 （3～5） 时，负载电阻上的平均电压为_______。 A.1.1U2 B. 0.9U2