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第一章 一、选择题（请选择一个最合适的答案填入括号内） P型半导体中的多数载流子是（ ），N型半导体中的多数载流子是（ ）。 自由电子 B. 空穴 C. 电荷 当PN结正偏时，空间电荷区中载流子的扩散运动和漂流运动相比（ ）。 前者强于后者 B. 后者强于前者 C.二者平衡 二极管正向导通的条件是外加电压（ ）。 0 B. 死区电压 C. 击穿电压 D. 死区电压 把一个二极管直接同一个电动势为1.5V，内阻为零的电池正向连接，该管（ ）。 击穿 B. 电流为零 C. 电流正常 D. 电流过大使管子烧坏 在本征半导体中加入_____元素可形成N型半导体，加入_____元素可形成P型半导体。 A.五价 B.四价 C.三价 D. 二价 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将_____ A.增大 B.不变 C.减小 D. 置零 工作在放大区的某三极管，如果当IB 从12 μA增大到22μA时，Ic从1mA变为2mA，那么它的β值约为_____ A.83 B.91 C.100 D. 110 当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将______ A.增大 B.不变 C.减小 D. 置零 9. 当晶体管工作在放大区时，发射结和集电结的电压应为（ ）。 A.前者反偏，后者反偏 B. 前者正偏，后者反偏 C.前者正偏，后者正偏 10.VGS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有（ ）。 A. 结型管 B. 增强型MOS 管 C.耗尽型MOS管 二、简答题： 1．在温度20℃时，某晶体管的，试问温度在60℃时约为多少？ 2.三极管的安全工作区受那些极限参数的限制？使用时，如果超过某项极限参数，分别会产生什么后果？ 3．在用万用表测量二极管的正向电阻时，常发现用不同欧姆档测出的电阻值不相同，用×10挡测出的阻值小，用用×100挡测出的阻值大，这是什么道理？ 4．能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 5. 有两只晶体管，一只的β＝200，ICEO＝200μA；另一只的β＝100，ICEO＝10μA，其它参数大致相同。你认为应选用哪只管子？为什么？ 三、综合题 1． 在图1.16所示的电路中，ui是波形不整齐的输入电压，设D为理想二极管；画出输出电压的波形。 图1.16 2. 二极管双向限幅电路如图1.17(a)所示。若输入为图1.17 (b)所示的三角波，试画出的波形。设二极管的正向压降为0.7V。 图1.17 3. 稳压二极管电路如图1.18所示，已知稳压管的，限流电阻。 (1)当时，稳压管的 (2)当时，稳压管 图1.18 4．如图1.19所示，设二极管正向压降为0.7V，E2=5V，当E1分别为2V、5V、10V时，求A点的电压UA各等于多少？如果E1的电压继续增加，A点电压的最大值UAmax=? 图1.19 5. 分别测得两个三极管的各极电位如图1.20所示，试识别它们的管脚，并判断这两个管子是NPN型还是PNP型，硅管还是锗管。 图1.20 6. 某放大电路中晶体管(BJT)三个电极A、B、C的电流如图1.21所示。用万用表直流电流档测得。试分析A、B、C中哪个是基极b、发射极e、集电极c，并说明此管是NPN管还是PNP管，它的 图1.21 7. 晶体管电路如图1.22所示。管子的门限电压。当输出电压从0随时间线性增大到10V时，试画出对应变化的波形。 图1.22 8. 电路如图1.23(a)所示，场效应管的输出特性如图1.23(b)所示。分析当、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。 图 1.23 1.3.2答案 一、1 （B）（A）2 （A）3 （B）4 （D）5 （A）（C）6 （A）7（C）8 （A） 二、1. 解 温度每升高10℃，增加约一倍。由此，30℃时，，40℃时，，故60℃时。 2. 解：三极管的极限参数是最大功率损耗值、最大集电极电流和击穿电压等，使用时均不能超过它们。如超过，管子将烧坏；如超过击穿电压，管子将失去放大作用；如加了限流电阻，管子不一定损坏。当超过时，电流放大系数β会下降太多，将产生管子的非线性失真。 3.解 由于二极